硅二极管导通电压（硅二极管导通电压范围）

频道：其他日期：2024-12-20 20:32:39 浏览：57

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硅材料二极管：导通电压约0.5~0.7v。

一般来说，小功率硅二极管的死区电压大概是0.5V，导通电压为0.6-0.7V，反向饱和电流一般是uA这个数量级。

硅二极管：导通电压约为0.5~0.7v，二极管是电流的单向门。当二极管的阳极相对于阴极的电压为正时，称为“正向偏置”，正向偏置电压大于二极管自身制造材料决定的导通电压，二极管才能允许电流通过你；相反，当极性相反（也称为“反向偏置”）或正向偏置电压小于导通电压时，二极管将不允许电流通过。

请注意二极管的正向特性，硅二极管的导通电压一般是0.7V，而不是0.5V，所以，DC0.5V的电源电压不能使二极管完全导通，最多是微导通。

硅二极管导通电压（硅二极管导通电压范围）

正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。一般以额定正向工作电流值作为基本参数。

正向导通电压，锗二极管是0.2~0.3V，普通硅二极管是0.5~0.7V，硅整流管是1~2V，肖特基二极管大约是0.3V~1V。

导通时二极管的正向压降变化不大，硅管约为0.6～0.8V，锗管约为0.2～0.3V。温度上升，死区电压和正向压降均相应降低。UBR称为反向击穿电压，当外加反向电压低于UBR时，二极管处于反向截止区，反向电流几乎为零，但温度上升，反向电流会有增长。

锗二极管的导通压降在0.15-0.2V，硅二极管的导通压降在0.5-0.7V，肖特基二极管的导通压降在0.2-0.3V。顺便说一下，二极管的导通压降跟流过它的电流有关，流过的电流越大，该压降也越大。

是的，稳压二极管按照半导体材料可以分为硅管和锗管。他们在各自的特性和应用中存在一些差异：硅管：硅二极管的导通电压通常在0.6-0.7伏特之间，这是硅的固有性质决定的。硅管的稳压性能优秀，具有较高的反向电压和温度特性良好。此外，硅二极管的结电容小，频率特性好。

1、二极管分为硅管和锗管，硅管最为常用，开启电压约0.5V左右，也就是说正向施加0.5V的电压硅二极管内部就用电子运动，证明已经开启。如果要二极管完全导通就要约为0.7V的正向电压，因为硅二极管有0.7V的压降。

2、导通电压以下，到0点之间的电压，叫“开启电压”，也叫“死区电压”二极管中：如果给它加反向电压，反向电压在某一个范围内变化，反向电流（即此时通过二极管的电流）基本不变，好象通过二极管的电流饱和了一样，这个电流就叫反向饱和电流。

3、我的理解：开启电压是说小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了（肯定有无法忽略电流）的正向压降。

1、二极管的工作原理是单向导电性，即在正向电压作用下导通，在反向电压作用下截止。硅制二极管的导通电压大约为0.6V至0.7V，而锗制二极管则为0.2V至0.3V。

2、二极管的工作原理是：正向导通，反向截止。二极管的作用如下：整流、开关、限幅、检波、阻尼、稳压。工作原理：晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

3、二极管的作用是：开关、限幅。二极管的原理是不存在外加电压时由p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流。作用开关：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。

硅材料二极管：导通电压约0.5~0.7v。

一般来说，小功率硅二极管的死区电压大概是0.5V，导通电压为0.6-0.7V，反向饱和电流一般是uA这个数量级。

请注意二极管的正向特性，硅二极管的导通电压一般是0.7V，而不是0.5V，所以，DC0.5V的电源电压不能使二极管完全导通，最多是微导通。