vboot电压（bl_onoff 电压）
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什么是自举电容?
1、自举电容是利用电容两端电压不能突变的特性，当电容两端保持有一定电压时，提高电容负端电压，正端电压仍保持于负端的原始压差，等于正端的电压被负端举起来了。实际就是正反馈电容，用于抬高供电电压。自举电容就是一个自举电路。
2、电路板上自举电容是电解电容没错。自举，是指脉冲的回扫时间由并在一起的电容提供一个脉冲电压，好比一个空挡时间，由电容抬举了一定高度的电压的过程。自举电路一般是扫描输出电路。扫描输出功率相对要求较大，所要求的自举电压也较高。所以，要求的电容容量和耐压也较高。因此，只有电解电容才能胜任。
3、自举电容 自举电容是利用电容两端电压不能突变的特性，当电容两端保持有一定电压时，提高电容负端电压，正端电压仍保持于负端的原始压差，等于正端的电压被负端举起来了。
帮看一下主板vboot怎么产生?
1、vboot（或称为引导电压）是用于启动主板的电压信号。它通常由主板上的电源管理芯片（PMIC）产生。在启动过程中，PMIC会根据一系列的电源控制信号来生成vboot。关于图中vboot的产生，根据您提供的信息，如果主板上没有采用DQ18和DQ184引脚，那么vboot信号可能是通过其他引脚或电路来生成的。
2、先将U盘连接到电脑上，然后开机或重启；启动过程中，进入BIOS设置界面，查看你的U盘是什么状态。多次调试，使得你的U盘处于可用状态。比如如果是被（）的状态，要让（）号消失，该U盘才可用。然后，要将U盘设置成第1启动顺序，再次开机定能成功启动。
3、如果只是这个蓝屏代码一般和硬件无关，是驱动和软件有冲突造成的，最早发现这个代码是因为公司的DELL机器的USB键盘和QQ2007的键盘加密程序有冲突发现的这个问题。也在IBM T系列笔记本上装驱动失误产生过。
4、如果你的操作涉及到了D的数据引导就很难恢复了，如果数据极其重要可以把硬盘取下到数据公司恢复RAID 5把校验块分散到所有的数据盘中。RAID 5使用了一种特殊的算法，可以计算出任何一个带区校验块的存放位置。这样就可以确保任何对校验块进行的读写操作都会在所有的RAID磁盘中进行均衡，从而消除了产生瓶颈的可能。
笔记本的cpu能承受多高温度?
1、笔记本CPU温度达到90到100度，虽然不一定会立即损坏，但长时间维持这样的高温确实可能对CPU和其他硬件组件造成损害。首先，我们要了解CPU的工作温度范围。一般来说，CPU的正常工作温度应该在60度以下，较为理想的状态是保持在50度左右。当CPU温度上升到90到100度时，这已经远远超出了其推荐工作温度。
2、笔记本电脑CPU能承受的温度在100°左右，并不是它只能承受这个温度，是有三项技术对温度进行控制。CPU材料的不同所能承受的温度也会有所不同的，不过一般定义在75度左右。
3、多涂并无益处，反而会影响热传导效率。cpu的耐受温度为60度，按夏天最高35度来计算，cpu温度应该为55度，不能超过65度。
ESD与短脉冲EOS失效的微观形态分析及验证
一组在ESD作用下，输出端电流异常，而另一组在短脉冲EOS影响下，VBOOT与OUT引脚间出现电压尖峰。通过激光和化学去模封，发现ESD失效样品位于数字电路CMOS接口区域，金属熔化和氧化层击穿，击穿深度较浅；而EOS失效样品在悬浮端与高压输出端位置，金属走线和衬底严重受损，击穿深度更深。
然而，有些情况下，如短脉冲EOS和ESD造成的轻微金属熔融，或在ESD损伤后出现的burnout现象，可能使区分变得困难。这时，模拟实验就显得尤为重要，通过对比测试与实际失效芯片的差异，可以进一步揭示故障源头。
EOS：典型地，由电源和测试设备产生；事件持续时间在微秒~秒级. （也可能是毫微秒）；损坏的现象包括金属线熔化、发热、高功率、闩锁效应；短的EOS脉冲损坏看起来像ESD损坏通常导致电晶体级别的损坏。
·电源开关引起的瞬态/毛刺/短时脉冲波形干扰；·设备接地不良引起的漏电流；·接地点反跳。
