gs电压大于ds电压（电压升高表现rv1+sv5）

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GS电压大于1000v的MOS管及IGBT有哪些

从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合，通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流等问题。从产品来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有；MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右。

N-MOSFET等效为电压控制的电阻，其导通条件是栅极（G）和源极（S）之间的电压（Vgs）需要大于某一阈值电压（Vgsth）。这个阈值电压决定了N-MOSFET打开所需要的GS电压，通常在数据手册中可以找到Vgs的值。选择5V的高电平时，可以选择约3V左右的Vgs，以避免受到干扰误触发，同时确保MOSFET能够正常打开。

大功率的达林顿管虽然可以在高电压和大电流状态下长时间工作，但需要较大的驱动电流。将场效应管做为推动管，大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管，功率达1000W以上。IGBT管有：P型、N型，有带阻尼的和无阻尼的。

IGBT的主要材料有外部为封装用的陶瓷；内部件是银丝、黄金镀膜和透明硅胶等。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是中国电力控制和电力转换领域的核心器件，它是由BJT（双极型晶体管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组合而成的全控型电压驱动式功率半导体器件。

架构：- MOSFET：MOSFET是一种场效应晶体管，它基于场效应原理工作。它有一个金属栅极、绝缘氧化物层和半导体材料。MOSFET适用于低电压和高频率应用。- IGBT：IGBT是一种绝缘栅双极性晶体管，它结合了MOSFET和双极性晶体管的特性。IGBT有一个绝缘栅极、PN结和双极性晶体管的结构。

怎样判断场效应管是否处于放大工作状态

FET管处于放大状态，要求很简单，就是要想办法让管子处于饱和区（FET的饱和区与三极管的饱和区定义完全不同，相当于三极管的放大区）。严格的说有两个条件：保证FET管导通；使管子处于饱和区，不同类型管子不一样。

判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。以结型N沟道场效应管为例：输出特性曲线中，场管的工作区域分成了三个部分：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区，也叫截止区（对应三极管的截止区）。

题目有错，正确的问题应该是：表征场效应管放大能力的重要参数是低频互（跨）导gm。场效应管放大起作用的条件为：FET管处于放大状态，要求很简单，就是要想办法让管子处于饱和区（FET的饱和区与三极管的饱和区定义完全不同，相当于三极管的放大区）。

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

MOS管打开时,是否正向和反向都能导通?

1、是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。因为对于MOS管来说，管内的衬底在制造时被连接到了S端，S端已经被确定了，而DS端无法互换，但是DS间的电流方向却可以是双向的。

2、mos管以常见的n管为例，只要没有打开，在mos管DS之间加正向电压是不通的，加反向电压由于体二极管的存在，反向电压只要大于这个体二极管的死区电压是可以导通的，不管mos管有没有去打开它，导通压降大体都在零点几伏，不同应用条件，这个数值有点来去。

3、mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。

4、如果S为8V，G为8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。和G相连的GPIO高电平要8-0.4=4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。

5、Vin1是低电平，则mos关断。在图二，是个Pmos，Vgs是个负值才能打开mos。现在s极接的是电源，也就是s极的电平是高电平。那么只需G极是0V ，mos 就会导通。G极是高电平时，mos关断。综上所述，是Nmos的话，就S极接地。Pmos就S极接电源。都是给S极一个固定的电位。上图都是很常见的 用法。

mos管怎么工作在恒流区?

mos管V（gs）大于夹断电压Vt时V（ds）之间的电压很小，也就是俗称的导通状态。当不断增加漏极电压是，源极电压不是也在增加吗？怎么样才会让V（ds）之间电压增大使mos工作在恒流状态呢... mos管V（gs）大于夹断电压Vt时V（ds）之间的电压很小，也就是俗称的导通状态。

漏极电源大于预夹断电压：n沟道耗尽型mos管恒流区需要漏极电源大于预夹断电压，沟道才能够完全导通，从而保证恒流区的工作条件。

满足Ucs》Ucs（th）（开启电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制。当uGs一定时，ip与uDs成线性关系，该区域近似为一组直线。这时场效管D、S间相当于一个受电压UGS控制的可变电阻。

如何止通过电压来判断场效应管的工作状态

综上所述，场效应管的工作状态可以通过GS和DS两端的电压来判断。N结型场效应管在GS电压小于0，DS电压大于0时工作在放大区，而P型则相反。绝缘型场效应管的放大工作条件也有所不同，需要GS和DS两端电压均为正。通过对这些电压条件的控制，可以实现对场效应管放大区的有效控制。

靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

看电路图的箭头是指向哪里，箭头方向相反的电流就是导通，方向相同就是截止。P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反。导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。场效应管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于场效应管是电压控制元件，所以主要由栅源电压UGS决定其工作状态。

a是N沟道场效应管，由Id电流在Re上可能产生自给反向偏压，可能工作在恒流状态。2：b，c是N沟道增强型MOS管，GS要加上正向偏压才能工作，图中所示不可能工作在恒流状态。3：d是P沟道场效应管，由VOO提供正向偏压，电路所示可能工作在恒流状态。

场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

用指针式万用表对场效应管进行 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

示波器探头串连一个高压瓷片电容测开关电源MOS管GS电压

1、总之，正确地使用示波器探头串连高压瓷片电容测量MOS管的GS电压，是开关电源设计和调试中的一项重要技能。通过合理选择探头和正确操作，可以确保测量结果的准确性，为开关电源的优化设计提供有力支持。

2、、在输出端+、-极并联0.1uf-1uf的瓷片电容，如果此法无效请继续往下看。2）、输入端负极到输出端负极有一电容，此电容一般称为“噪声耦合电容”，加大此电容的容量，噪声可得改善。如果以上都不能达到你想要的效果，最后的方法：输出端通过一个共模电感再到用电器或示波器。

3、RCD中的瓷片电容大小，影响MOS管的尖峰电压.如果你有示波器的话，使用示波器测量MOS管的VDS电压，先增加个10nF，看VDS的电压是否有足够的余量。余量不足就加大电容容值，余量够了就可以减小容值。

4、测试电压纹波用同轴电缆而不用一般的示波器探头：因为它们的精确度不一样，一般的示波器都不配置同轴电缆，因为一般的示波器本身的夹子与地线会形成环路，像一个天线接收杂讯，引入一些不必要的杂讯，所以很多人都采用同轴电缆来测试，并联的应该是两个电容，一个10uf一个104。

5、电容参数，使低频纹波降低到所需的指标。b、采用前馈控制方法，降低低频纹波分量。高频纹波抑制毛刺的目的是给高频纹波提供通路，常用的方法有以下几种：a、提高开关电源工作频率，以提高高频纹波频率，有利于抑制输出高频纹波。b、加大输出高频滤波器，可以抑制输出高频纹波。c、采用多级滤波。

6、直接短路探头，调整衰减，同步，看有没有尖峰 可能是共模干扰，一般在滤波电容不会有尖峰。可耳机串一个电容看有没有交流声，注意接法，不要让电容冲击电流伤害耳机。