光电流与电压的图像（光电流和电压）
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(求详解)如图为通过某光电管的光电流与两极间电压的关系
遏止电压是指施加在光电管中的反向电压，其大小能使光电流减小至零。 在光电效应中，当电压U为零时，电流I通常不为零。只有通过添加反向电压，即阴极连接正极、阳极连接负极，才能在光电管的两端建立电场，这个电场能够减速光电子，从而使电流降至零。 遏止电压的存在表明光电子具有初始动能。
新教材：①存在饱和电流，这表明入射光越强，单位时间内发射的光电子数越多；②存在遏止电压：；③截止频率：光电子的能量与入射光的频率有关，而与入射光的强弱无关，当入射光的频率低于截止频率时不能发生光电效应；④效应具有瞬时性：光电子的发射几乎是瞬时的，一般不超过10-9s。
光电传感器原理是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。 光电传感器在一般情况下，有三部分构成，它们分为：发送器、接收器和检测电路。 发送器对准目标发射光束，发射的光束一般来源于半导体光源，发光二极管（LED）、激光二极管及红外发射二极管。光束不间断地发射，或者改变脉冲宽度。
在光电管的阳极 A 和阴极 K 之间加上直流电压 U ，当用频率足够高的单色光照射 K 时，阴极上会有光电子逸出，它们在加速电场的作用下飞向阳极 A ，而形成电流 I ，称为光电流。 光电效应的实验规律可以概括为以下四点： ⑴饱和光电流 I s 与入射光强度成正比。
电流I并不为0。只有施加反向电压，也就是阴极接电源正极阳极接电源负极，在光电管两级形成使电子减速的电场，电流才可能为0。使光电流减小到0的反向电压Uc称为遏止电压。遏止电压的存在意味着光电子具有一定的初速度。
光电效应伏安特性曲线
1、光电效应伏安特性曲线是一种用于研究光电效应特性的实验手段，通过在伏安曲线上观察不同波长和强度的光照射下电流随电压的变化，可以了解材料的光电性质和光电信号的特点，也可以作为设计光电器件的依据。
2、． 在365nm、405nm、436nm、546nm、577nm五种单色光下分别测出光电管的伏安特性曲线，并根据此曲线确定遏止电位差值，计算普朗克常量h。2． 作 的关系曲线，用一元线形回归法计算光电管阴极材料的红限频率、逸出功及h值，并与公认值比较。
3、因为光频率和光强度都保持不变的时候，单位时间内产生的光电子数目是不变的。因此当电压加到一定程度时候，所有的光电子都顺利到达阳极，从而形成了饱和电流。
光电效应iu图像怎么看频率
1、可以通过以下步骤实现：到图像中的截止电压。截止电压是指，当光的频率低于一定值时，光电流会降为零。在iu图像中，截止电压对应的是横轴（光的频率）的截止值。找到图像中的饱和电流。饱和电流是指，当光的频率很高时，光电流的强度趋于一个定值。在iu图像中，饱和电流对应的是纵轴的饱和值。
2、光的颜色由光的频率决定，光的频率由光源决定，与介质无关，光的颜色按频率从低到高的排列顺序是：红、橙、黄、绿、蓝、靛、紫。 （助记：紫光的频率大，波长小。
3、确定图像中的截止电压：在iu图像中，截止电压是指光的频率低于一定值时，光电流降为零的点。找到这个点，它对应于横轴（光的频率）上的截止值。 识别饱和电流：饱和电流是指光的频率很高时，光电流强度趋于一个定值。在iu图像中，饱和电流表现为纵轴的饱和点。
如何测试光电流?
1、步骤：使用光源，改变光源的波长。测量在不同波长下的光电流。应用：用于研究材料对不同波长光的响应，了解材料的光电性能。暗电流测试：原理：测量在无光照射条件下材料的电流，即暗电流。步骤：在完全遮光条件下测量材料的电流。比较暗电流和光电流，评估材料的光电性能。
2、光电流测试通常需要按照以下顺序进行：光源准备：首先需要准备好光源，一般可以使用LED灯或者白光LED作为光源。光电二极管选择：光电二极管是光电流测试中的关键器件，需要选择合适的型号和参数。常用的光电二极管型号有QPD32U、4S28P、普通数字型光电二极管等。
3、可以同时检测光电流和暗电流，采用恒电势极化测试技术来测量i-t曲线，测量时间需要根据你研究目的来定，如你仅仅看看光电流大小，那么时间可以设置短点。光电流是由光能激发产生的电流，光具有能量，一个光子将半导体内价带的电子激发至导带，如果存在回路就会产生电流，即光生伏特效应。
4、暗电流测试：稳压电源用±12V，调整负载电阻RL阻值，使光敏器件模板被遮光罩盖住时微安表显示有电流，这即是光敏三极管的暗电流，或是测得负载电阻RL上的压降V暗，暗电流LCEO=V暗/RL。（如是硅光敏三极管，则暗电流可能要小于10-9A，一般不易测出。
5、光电流测试：取走遮光罩，即可测得光电流I光，通过实验比较可以看出，光敏三极管与光敏二极管相比能把光电流放大（1+HFE）倍，具有更高的灵敏度。计时电流法，一种电化学方法。向电化学体系的工作电极施加单电位阶跃或双电位阶跃后，测量电流响应与时间的函数关系。
光电效应中,光电流的大小与什么有关
1、在光电效应中，光电流的大小主要取决于入射光的强度。入射光强度与单位时间内照射到金属表面的光子数量成正比。当光子数发生变化时，单位时间内吸收光子的电子数量也会相应变化，从而导致飞出的光电子数量发生变化，进而影响电流的大小。
2、光电流的大小受到多种因素的影响，其中最为显著的是光强与电压。当光照射到半导体材料上时，光子与材料中的电子相互作用，使电子获得足够的能量脱离原子束缚，形成光电子。这些光电子会因为受到电磁场的作用而朝向阳极移动，从而产生光电流。随着电压的增加，越来越多的光电子被吸引到阳极，光电流随之增大。
3、光电效应中，光电流的大小与（光子数）有关 当入射光的频率大于金属的极限频率，发生光电效应，光电流强度和光子数成正比。
4、光电流的大小和光强以及电压都有关系。被打出来的光电子会飞往各个方向，所以加上电压后会使得它们能够在电场的引导下尽可能多的跑往阳极成为可以探测的光电流。因此随着电压的增加越来越多的光电子会被吸引到阳极，光电流就会增加。
