bjt电压（bjt电压串联负反馈放大电路验证）
本文目录一览：
BJT击穿电压的基本概念
BJT，即双极型晶体管，是电子电路中常用的元件。在工作过程中，当反向输出电流突然增大时，晶体管就会受到击穿电压的影响。简而言之，击穿电压是晶体管承受的反向电压达到一定程度后，电流突然激增的临界点。由于BJT具有三个电极，因此存在三个不同的击穿电压值，分别是：BVcbo、BVceo和BVebo。
因为BJT有三个电极，所以存在相应的三个不同的击穿电压值：BVcbo，BVceo和BVebo；这三个击穿电压实际上也就是对应于BJT的三个反向截止电流（Icbo，Iceo和Iebo）分别急剧增大时的电压。
BJT击穿电压主要探讨的是发射结、集电结以及共发射极组态的击穿电压（BVebo、BVcbo、BVceo）以及影响这些击穿电压的关键因素。首先，BVebo指的是集电极开路状态时，发射极与基极之间能承受的最高反向电压，实际上是发射结的击穿电压。
这就是BJT共基极组态的击穿电压，即发射结开路时、基极与集电极之间所能承受的最高反向电压，实际上也就是集电结的击穿电压。这时反偏集电结的情况与单个p-n结的差不多，在雪崩击穿机理起决定作用的情况下，因此也可以采用单边突变结或者线性缓变结的关系来确定该击穿电压。
对于实际应用中的BJT共发射极组态，不同的偏置条件会导致反向截止电流和相应的击穿电压出现差异。基极开路对应的是上述的击穿电压BVceo。
BJT击穿电压的三个击穿电压的有关因素
这就是BJT共基极组态的击穿电压，即发射结开路时、基极与集电极之间所能承受的最高反向电压，实际上也就是集电结的击穿电压。这时反偏集电结的情况与单个p-n结的差不多，在雪崩击穿机理起决定作用的情况下，因此也可以采用单边突变结或者线性缓变结的关系来确定该击穿电压。
实际上是发射结的击穿电压。对于双扩散平面晶体管，击穿电压主要由基区的掺杂浓度决定，降低基区掺杂浓度有利于提高BVebo。通常，BJT的发射结工作在正偏状态，因此对BVebo的要求不高，且基区掺杂浓度不宜太低，导致BVebo一般小于20V。
BJT，即双极型晶体管，是电子电路中常用的元件。在工作过程中，当反向输出电流突然增大时，晶体管就会受到击穿电压的影响。简而言之，击穿电压是晶体管承受的反向电压达到一定程度后，电流突然激增的临界点。由于BJT具有三个电极，因此存在三个不同的击穿电压值，分别是：BVcbo、BVceo和BVebo。
对于实际应用中的BJT共发射极组态，不同的偏置条件会导致反向截止电流和相应的击穿电压出现差异。基极开路对应的是上述的击穿电压BVceo。
因为BJT有三个电极，所以存在相应的三个不同的击穿电压值：BVcbo，BVceo和BVebo；这三个击穿电压实际上也就是对应于BJT的三个反向截止电流（Icbo，Iceo和Iebo）分别急剧增大时的电压。
bjt死区电压是什么意思
PN结的行为受电压控制，正向偏置时，通过抵消内部电场，实现电流的流通，形成线性导通；反向偏置则阻断电流，仅少数载流子能通过，直到击穿。而二极管，就是利用PN结的这种特性，实现单一方向的电流控制，有死区电压和正向导通压降之分。三极管（BJT）则是PN结的扩展，有PNP和NPN两种类型。
当三极管截止，发射结电压低于死区电压，基极电流很小，以至Ib=0时，集电极电流减小到穿透电流的数值Iceo。Iceo一般不大，它在负载电阻上的压降很小，因此集电极与安射极间的电压降Uceo接近于电源电压，此时晶体管的等效内阻很大，这相当于开关的断开状态。
变频器的输出电流过大。变频器的输出电流大，也会延长IGBT管的关断时间，导致直通。驱动不足驱动不足也即驱动电压偏低，容易使IGBT管进入放大状态，IGBT管的功耗大幅增加，IGBT管将迅速烧毁。
三极管的工作电压，是指集电极发射极之间的电压；三极管工作电流，是指发射极电流。由于三极管型号很多，各种型号的参数区别，工作电压和电流是其中两项重要指标。集射电压等级，从30V开始，高的可以达到1000V，甚至更高。工作电流等级，从100毫安到几安培几十安培的都有。
可能是你看书不够细心，书上没有任何地方表达过Ie=0表示三极管处于截止区。书上有一句Ie=0以下的区域为截止区，这句话是应该看着BJT输出特性曲线图来读的，从图中很容易看出，Ie=0时，Ic也几乎为0。并且书中明确表示截止区是指发射结和集电结均反向偏置。
