雪崩电压（雪崩电压公式）

本文目录一览：

• 1、解释雪崩过程和起始电晕电压
• 2、雪崩击穿电压
• 3、雪崩击穿电压是什么?

解释雪崩过程和起始电晕电压

临界电压、积雪太厚。起始电晕电压起始电晕电压又称临界电压，是开始发生电晕放电时的电压。造成雪崩的原因主要是山坡积雪太厚，积雪经阳光照射以后，表层雪 溶化。

起始电晕电压是指开始发生电晕放电的电压。3．荷电尘粒的运动和捕集 粉尘荷电后，在电场的作用F，带着不同极性电荷的尘粒分别向极性相反的电极运动，沉积并被捕集。

工作原理 在两个曲率半径相差较大的金属阳极和阴极上，通过高压直流电，维持一个足以使气体电离的电场，气体电离后所产生的电子：阴离子和阳离子，吸附在通过电场的粉尘上，使粉尘获得电荷。荷电极性不同的粉尘在电场力的作用下，分别向不同极性的电极运动，沉积在电极上，而达到粉尘和气体分离的目的。

雪崩击穿电压

PN结反向击穿现象包括齐纳击穿和雪崩击穿，通常这两种击穿会同时发生。 在电压低于5至6伏特时，齐纳击穿占主导地位，而电压超过这个范围时，雪崩击穿成为主要因素。

PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于 5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。

在实际应用中，PN结的反向击穿通常同时包含齐纳击穿和雪崩击穿两种形式。但在不同电压范围内，两种击穿形式占据主导地位。具体而言，在低于5至6伏特的电压下，齐纳击穿为主要形式，此时稳压管的稳压值具有负的温度系数。而在电压超过5至6伏特的情况下，雪崩击穿成为主要形式，这使得稳压管的温度系数变为正。

一般对于硅材料的PN结，6V电压以上以雪崩击穿为主，6V以下以齐纳击穿为主；电压很高几乎就是雪崩击穿，电压很低就是齐纳击穿。相同之处是：电压低于击穿点时通过PN结的电流很小，电压超过击穿点后，通过PN结的电流急剧增大，若外部电路不加限制，将使PN结很快烧毁。

一般两种击穿同时存在，但在电压低于5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。

雪崩击穿电压是什么?

1、PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于 5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。

2、PN结反向击穿现象包括齐纳击穿和雪崩击穿，通常这两种击穿会同时发生。 在电压低于5至6伏特时，齐纳击穿占主导地位，而电压超过这个范围时，雪崩击穿成为主要因素。

3、雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！的PN结才做得到。

4、雪崩击穿和齐纳击穿是半导体PN结的两种不同的击穿机理。说明一下它们的相同点和不同点你就知道有什么用了。一般对于硅材料的PN结，6V电压以上以雪崩击穿为主，6V以下以齐纳击穿为主；电压很高几乎就是雪崩击穿，电压很低就是齐纳击穿。

5、雪崩电压一般是MOSFET定义的Drain-source breakdown voltage （BVDSS）的110%～150%之间，击穿电压具有正温度特性。还有一点非常有趣，可能你也留意到了，在定义雪崩能量时，通常都会有一个备注：Single pluse。这就引出了我们的第二个话题：热载流子注入（Hot Carrier Injection）。

6、雪崩击穿发生在反向电压接近击穿电压UB时，空间电荷区内电场增强，载流子能量增加。在反向电压作用下，载流子与空间电荷区的中性原子发生碰撞电离，产生电子-空穴对。这些新产生的载流子在电场作用下再次获得能量，碰撞其他原子并产生更多电子-空穴对。