开源电压（开源电压探头）

频道：其他日期：2025-01-04 03:43:12 浏览：10

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本文介绍一款开源的205W升降压PD1快充模块，该模块基于IP6557和IP6538芯片，包含一个C口和一个A口+C口，支持PD1协议，最高输出功率分别为140W和65W，适用于搭配24V10A开关电源组成低成本快充充电器。模块输入电压范围为2~31V，C1口为升降压，C2口和A口为降压。

开源电压（开源电压探头）

在Arduino mega 2560大功率电机扩展板上，原有的电机驱动模块TB6612被剥离，以此适应不同功率的驱动需求。组合示例如驰海电机 + 大功率双路直流驱动器，接口指引与先前的扩展板有所不同，增加两个变量。

1、项目背景在2015年5月份，经过评估十几种24位ADC后，我从第一份工作岗位上离职了。尽管尝试了多种24位ADC，但实际效果并不理想，引发了对于硬件设计、软件开发以及24位ADC性能的深入思考。

2、一个16位ADC最大输出是65536，所以说最大可能的显示也就是这么大了，通常受到稳定性等要性限制，实际上还做不了这么大的显示。三位半数字万用表（即3右2分之一），最大显示为1999；每秒更新2~ 3次；简单地说它测量交流220v电压，仅仅显示小数点前面的数字。

3、．显示位数完整显示位：能够显示O～9的数字。非完整显示位（俗称半位）：只能显示0和1（在最高位上）。如4位DVM，具有4位完整显示位，其最大显示数字为9999。而4位半DVM，具有4位完整显示位，1位非完整显示位，其最大显示数字为19999。

4、用每个字对应的电压值来表示，即v/字。不同的量程上能分辨的最小电压变化的能力不同，显然，在最小量程上具有最高分辨力。例如，3位半的dvm，在200mv最小量程上，可以测量的最大输入电压为199mv，其分辨力为0.1mv／字（即当输入电压变化0.1mv时，显示的末尾数字将变化“1个字”）。

1、MOS管的工作原理（以N沟道增强型MOS场效应管）它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

2、N沟道增强型半导体场效应三极管的工作原理涉及N型和P型半导体的相互作用。N型区的电子多于空穴，而P型区则相反。当两种区域接触时，电子从N区向P区扩散，空穴从P区向N区扩散，形成耗尽层，由于耗尽层电阻高，阻止了源极和漏极之间的导通。

3、NMOSN沟道增强型MOS管的工作原理主要包括栅源电压vGS对漏极电流iD及沟道的控制作用。当vGS为0时，由于增强型MOS管的漏源间存在两个背靠背的PN结，加上任何漏源电压vDS，总是有一个PN结处于反偏状态，导致漏极电流iD接近于0。

4、当 0V（GS）V（T）（开启电压）时，通过栅极和衬底间的电容作用，将栅极下方P型衬底表层的空穴向下排斥，同时，使两个N区和衬底中的自由电子吸向衬底表层，并与空穴复合而消失，结果在衬底表面形成一薄层负离子的耗尽层。漏源间仍无载流子的通道。管子仍不能导通，处于截止状态。

5、工作原理：1栅源电压V（GS）的控制作用：当V（GS）=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN结隔离，因此，即使在D、S之间加上电压，在DS间也不可能形成电流。

6、n沟道场效应管工作原理沟道场效应管是一种电子器件，它的工作原理是利用沟道场效应的原理，在沟道场效应管的沟道中，当电子束穿过沟道时，由于沟道场效应的存在，电子束会受到沟道场的影响，从而产生一个电场，这个电场可以控制电子束的流动，从而控制电子束的流量，从而控制电子束的电流。

关键词：开源电压