电压驱动和电压控制元件（电压驱动和电压控制元件的关系）
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正确使用三极管和MOS管
1、MOS管是电压控制电流器件，栅极电压的变化控制漏极电流的变化。MOS管有PMOS和NMOS两种，PMOS在栅极电压低于源极电压超过阈值电压时导通，NMOS在栅极电压高于源极电压超过阈值电压时导通。PMOS的栅极用低电平驱动，NMOS的栅极用高电平驱动。
2、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
3、通过稳压管和MOS管的配合，确保电源电压的稳定。测试数据显示，MOS管内部二极管压降约为0.6V，这意味着R436的阻值需要适当调整。为保证5V左右的输出，可能需要增大电流或减小电阻，同时注意在7V以下时要适时关闭三极管，以防止终端关机时的潜在问题。
4、MOS管在使用时漏极D和源极S之间也存在最大电压，MOS管在工作时DS两端的电压不能超过规定值。一般而言MOS管的耐压值比三极管的耐压值高很多。从工作稳定性考虑，一般要留有30%-50%，甚至更多的余量。最大过电流能力 三极管有ICM参数，即集电极的过电流能力，MOS管的过电流能力用ID来表示。
什么是电压驱动?什么是电流驱动?
电压驱动和电流驱动是电子学中的两种基本驱动方式，它们在电子设备的运行和电路设计中起着重要作用。电压驱动是指电子设备的运行或电子元件的工作状态主要取决于施加在其两端的电压大小和方向。在电压驱动型元件中，电压是控制电流流动的关键因素。
电压驱动的如：场效应管，因为它的内阻很大，加电压控制时电流很小，近似为零，所以可以理解成：电压驱动；电流驱动的如：普通的NPN、PNP型三极管，因为它的内阻较小，加电压控制时电流相对较大（一般小功率的都有100uA以上，大功率的可达20mA以上），所以可以理解成电压驱动。
电压驱动，需要加上合适的电阻，才可以驱动电路；电流驱动，可以直接驱动电路。位于主电路和控制电路之间，对控制电路的信号进行放大的中间电路就是驱动电路。LED驱动器指驱动LED发光或LED模块组件正常工作的电源调整电子器件。
电压驱动电路：是在喷油的时间内，对喷油器施加一稳定的电压。特点：喷油器阀开启速率较低，喷油器的动态响应较差。
CMOS电路），都是电压驱动的。双极性晶体管，输出状态完全取决于输入的电流大小，输入的电流一般是微安至毫安级的，包括用双极性晶体管工艺制成的逻辑器件（TTL电路），都是电流驱动的。需要特别说明的是，尽管TTL电路标明的是高低逻辑电平，将一个高电平门电路拉低至低电平，仍需要0.3mA的驱动能力。
IGBT是电流驱动还是电压驱动的
可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。MOSFET和IGBT是电压控制器件，类似于场效应管，可通过栅极电压控制其导通和关断，开关速度高于GTO，由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高，后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。
IGBT，一种电压驱动的电子开关，通常需要电流来饱和导通。驱动电流峰值取决于栅极总电阻。计算公式为欧姆定律，即电流=驱动电压/驱动电阻。然而，在小阻值驱动回路中，实际测得的驱动电流通常小于计算值，这是由于回路中的杂散电感导致电流峰值一般为计算值的70%。
IGBT本质是电压控制电流型器件，用作开关调制时，通过调整占空比来调整负载的电压。IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
电压驱动型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：脉冲触发型，例如晶闸管、GTO；电子控制型，例如GTR、MOSFET、IGNT。
电子技术(五)——FET
1、电子技术的新篇章：深入探索FET与MOSFET的世界 FET：电压控制的革新力量/ FET，即场效应晶体管，作为电压控制的电子元件，以其卓越的输入阻抗和低噪声特性而闻名。它是从传统三极管原理中衍生出的下一代放大元件，拥有三个极性：栅极、漏极和源极。
2、电子元器件FET是Field Effect Transistor的缩写，即场效应晶体管，也简称场效应管。FET是一种电压控制器件，它通过控制输入回路的电场效应来控制输出回路的电流。与晶体管相比，FET具有许多独特的优点。
3、FET是指场效应晶体管的缩写。以下是关于FET的详细解释：定义与概述 场效应晶体管是一种半导体器件，它利用电场效应来控制电流的流动。由于其具有高频特性好、热稳定性强、驱动能力大等优点，因此在现代电子系统中得到了广泛的应用。
4、综上所述，FET作为电子行业的基础设备，其历史、工作原理、电路应用和类型都体现了其重要性和复杂性。在电子技术的发展中，FET扮演了不可或缺的角色，推动了集成电路的广泛使用，为现代电子产品的智能化和微型化提供了可能。
5、Transistor，IGBT）等。这些电晶体各有特点，适用于不同的电子设备和电路设计中。总之，电晶体种类多样，根据其工作原理、结构特点和应用领域可以分为双极性接面电晶体和场效电晶体。它们在电子技术的各个方面发挥着关键作用，从信号放大到开关控制，从数字电路到电源管理，都有着不可或缺的地位。
6、同时，场效应管的安全工作区域宽广，能够在更广泛的条件下保持稳定的工作状态。总的来说，场效应管因其高输入电阻、低噪声、低功耗、大动态范围、易于集成、无二次击穿现象及宽广的安全工作区域等特性，被广泛应用于放大电路和其他电子设备中，成为现代电子技术中不可或缺的重要元件。
电力电子元器件有哪些
常见的全控型电力电子器件包括门极可关断晶闸管（GTO）。 电压控制型器件有电力晶体管（Power MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。 电流控制型器件主要是电力场效应晶体管（SIT）。 在单相桥式整流电路中，晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别为根号2 U/2和根号2 U。
电力电子元器件包括半控型器件、全控型器件与不可控器件。全控型器件如GTO、GTR、Power MOSFET与IGBT等可被电路信号控制，分为电压驱动型与电流驱动型。电压驱动型器件有IGBT、Power MOSFET与SITH，电流驱动型器件有晶闸管、GTO与GTR。脉冲触发型器件如晶闸管与GTO，电子控制型器件如GTR、PowerMOSFET与IGBT。
当前主流的电力电子器件包括：SCR（普通晶闸管）、双向SCR（双向晶闸管）、GTO（可关断晶闸管）、MOSFET（功率场效应管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和IGCT（换流关断晶闸管）。
