二极管结电压（二极管上的电压）
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二极管VJ是什么意思
二极管Vj代表结电压，Id表示二极管的总电流，Is指反向饱和电流，q代表电子电荷，n为理想因子，A是结面积，A**为有效理查德森常数，T为绝对温度，φb是势垒高度，kB是波尔兹曼常数。在正向偏置情况下，金属-砷化镓界面的电子输运过程涉及热电子发射、空间电荷区的复合以及中性区的复合。
led是LightEmittingDiode的缩写，中文翻译为发光二极管，是一种能将电能转化为光能的半导体固体发光器件；VJ全称VisualJockey，即影像骑师，就是负责提供Party影像的人。责任不同。
有图片吗？最好能提供一张图片发过来看看，这样才能够精准地为你确认型号。如果是TVS二极管的话，丝印KE的TVS型号有两种，分别是：SMBJ0A、SMF0CA。
变容二极管的结电容与反偏电压会根据型号的不同而不同，可以直接查阅一下相关资料。
二极管，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。
这个二极管是降功率用的，正常时超过二极管，小火力是通过二极管降了一半的功率，一般用10A左右的整流二极管代替。
二极管的击穿问题?
在正常情况下，二极管在反向电压下处于截止状态。 然而，如果反向电压超过了二极管的耐压极限，将会导致击穿现象的发生。 正向导通时，二极管的结电压通常很低，大多数情况下不超过1V。 但如果流过二极管的电流过大，会导致其温度急剧上升。
二极管的击穿有两种击穿：齐纳击穿：稳压二极管就是利用这种特性工作的。加上反向电压，在用电阻限流的条件下，二极管两端的击穿电压基本不变。如下图中的CD段（反向击穿区）。这个击穿是可恢复击穿。
当二极管的反向电压达到一定值时，反向电流会急剧增大，导致二极管失去单向导电特性，这种现象称为击穿。 在电击穿状态下，二极管的单向导电性可能会被永久性破坏。如果击穿是由于过热引起的，二极管在去除外部电压后可能无法恢复其性能，否则将损坏。
齐纳击穿：当二极管的掺杂浓度较高时，狭窄的势垒区在受到较大的反向电压作用下，势垒区的共价键结构会被破坏，导致价电子脱离共价键并形成电子空穴对。这种情况下，电流会急剧增加，形成齐纳击穿。而在掺杂浓度较低的情况下，由于势垒宽度较大，不易发生齐纳击穿。
无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结永久性损坏。早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。
为什么说二极管中间pN结(耗尽层)电压方向要与电池方向一致,势垒加大...
二极管中间pN结（耗尽层）电压方向，是多数载流子相互渗透形成的，它同时也消耗掉了区域中的大多数载流子，从而构成阻止载流子继续运动的耗尽区。这个结电压的方向，就是阻止多数载流子继续流动的方向。因此，这个电压要与电池方向一致，那当然会造成势垒加大，更加阻止多数载流子的流动了。
反向电压导致耗尽层变大的原因在于，外加电场的方向与原有的空间电荷电场方向一致，进一步增强空间电荷电场的效果，从而使得原本存在于PN结附近的载流子更难以重新进入PN结，使得耗尽层的宽度增加。
当PN节接方向电压时，相当于P节接负电，N节节正电。则P节中的带正电空穴向负极移动，N节中点负电的电子向正极移动，两种离子向相反方向移动，则中间无带点离子的空间肯定越宽了，所以说耗尽层变大了。
正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下，载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽，耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。
