fga25n120驱动电压（bt151驱动电压）

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FGA25N120是什么三极管

1、fga25n120是一款功率三极管，用于电子设备的功率放大和开关控制。要测量该三极管的特性，首先需要准备一个万用表和一台电源，以及连接线。将三极管的引脚与连接线相连，然后将连接线的另一端分别连接到电源的正极和负极上。设置万用表为电流测量模式，并将连接线与万用表的电流测量口相连。

2、FGA25N120是仙童公司的产品，是IGBT管，是一种复合管，封装形式TO-3P ，主要参数是1200V /25A ，内部包含续流二极管。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

3、FGA25N120不是三极管。它是一款可以工作在高电压大功率（1200V、50A）下的N沟道IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

4、FGA25N120不是三极管，它是一款可以工作在高电压大功率（1200V、50A）下的N沟道 IGBT。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

5、FGA25N120的放大原理是：用指针式万用表对场效应管进行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

FGA25N120的放大原理是什么?

1、这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。

2、fga25n120是一种集电极直流电流晶体管，最大功耗312WC。该晶体管类型为IGBT，集电极直流电流为50A，饱和电压，Vce sat 最大为5V，最大功耗312W，电压， Vceo是1200V，工作温度范围在-55°C to +150°C。凡是电流方向不随时间变化的电流称为直流电流。电流值可以全为正值，也可以全为负值。

3、FGA25N120不是三极管。它是一款可以工作在高电压大功率（1200V、50A）下的N沟道IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

4、这样，由于管的放大作用，漏源电压vds和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。

FGA25N120参数?

1、FGA25N120，电流25A，耐压1200V。FGA15N120，电流15A，耐压1200V.K25T120，电流25A耐压1200V。可互换，FGA15N120电流稍少了些，1500W以下可用。

2、FGA25N120是仙童公司的产品，是IGBT管，是一种复合管，封装形式TO-3P ，主要参数是1200V /25A ，内部包含续流二极管。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

3、FGA25N120晶体管的参数：电磁炉上的功率管，它的电流最大承受能力是２５Ａ电压耐压是１２00Ｖ，它比FGA15N120功率更大，如果代换，可能有些电容要换！FGA15N120的参数：最大承受电压／电流是：1200v／15A。

4、晶体管类型：IGBT集电极直流电流：50A饱和电压， Vce sat 最大：5V最大功耗：312W电压， Vceo：1200V工作温度范围：-55°C to +150°C封装类型：TO-3P上升时间：50ns功率， Pd：312W功耗：312W封装类型：TO-3P晶体管极性：NPN最大连续电流， Ic：50A电压， Vces：12。

5、N120各参数值 极限电压：1200V极限电流：25A饱和压降：5V 20R1203各参数值 极限电压：1200V极限电流：20A饱和压降：48V两种功率管理论上是可以互相替换的，但在实际应用中，20R1203代换25N120时，经常会出现电磁炉加热慢，功率管自身发热严重的情况。

电磁炉功率管FGA25N120是硅管吗?

FGA25N120是仙童公司的产品，是IGBT管，是一种复合管，封装形式TO-3P ，主要参数是1200V /25A ，内部包含续流二极管。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

fga25n120为IGBT IGBT结构图 左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E）。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极G）。沟道在紧靠栅区边界形成。

管子脚朝下，管子面对着自己，用万维表R乘1K档测试：在检查之前先将IGBT管三只引脚管路放电，以免影响检查的精确度。用万维表红表笔和黑表笔分别检查GE以及GC两极间的正反阻值，如果是质量比较好的管子，则测出来的值是无穷大。二：电磁炉功率管测试 用万维表红表笔接G极，黑表笔接E极。

格兰仕电磁炉,H20R1202坏了,能用FGA25N120代替需要改件吗?

1、格兰仕电磁炉里面的H20R1202坏了，能用FGA25N120代替，不需要改件的。H20R1202与FGA25N120都是电磁炉经常使用的IGBT管。H20R1202的主要参数是：最大连续电流Ic=20A，反向击穿电压BVceo=1200V，内含阻尼二极管。FGA25N120的主要参数是：最大连续电流Ic=25A，反向击穿电压BVceo=1200V，内含阻尼二极管。

2、可以代用。FGA25N120内含阻尼二极管，适用于代换IGBT功率管。最高耐压、最大电流符合要求时，内含阻尼二极管的IGBT管可以替代不含阻尼二极管的IGBT管。如果用不含阻尼二极管的IGBT管代换含阻尼二极管的IGBT管，应在新换管的c、e极间加焊一只快恢复二极管。

3、可以代用。因为FGA25N120内含阻尼二极管，在代换IGBT功率管时，最高耐压、最大电流符合要求时，内含阻尼二极管的IGBT管可以代换不含阻尼二极管的IGBT管。如果用不含阻尼二极管IGBT管代换含阻尼二极管的IGBT管时，应该在新换管的c、e极间加焊一只快恢复二极管。

4、这两者都是用于电磁炉的大功率场效应管，其反向耐压均为1200V，但H20R120的电流是20A，而FGA15N120的电流是15A，若从可靠性角度考虑，以FGA25N120代换H20R120更稳妥。

5、个人感觉好像是25N120的驱动电压要求高，或者说灵敏度低一些。H20R1202 或者 20T120 等驱动电压小灵敏度高。根据电路实际情况，则会出现有些能代换成功，有些则是因激励不足发热严重。根据我的经验，基本后两者都可以代换25N120，反之就要根据电路设计、碰碰运气看了。

6、可以用，但是最好是用FGA25A120，因为H201202的功率小，使用寿命会短。

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