hspice电压（hysteresis电压）

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Hspice学习记录(四)Hspice基础仿真分析与电路控制描述

1、Hspice的强大功能主要聚焦在三大类基本仿真上：直流、瞬态和交流分析，这些又进一步细分为多个子领域。让我们逐一探索它们的特性： **直流仿真 - 通过直流仿真，你可以检查电路拓扑、计算工作点，以及分析输出变量对电路参数的直流灵敏度。

2、导出网表，创建.ckt文件，并在其中记录电路信息。找到文件存放位置，便于后续操作。进行网表仿真，将.ckt文件后缀更改为.sp，执行hspice指令，输入相应的命令，例如hspice -i input.sp -o。终端显示“concluded”表示仿真过程已完成。使用终端指令wv打开waveview工具，以便于后续波形查看。

3、模型选择也很重要，Hspice依赖于工艺库模型进行仿真，可以自定义或使用晶圆厂提供的库文件。 子电路和库文件的使用可简化大型电路描述，通过.SUBCKT和.ENDS语句定义子电路，便于重复调用。 电路分析结果输出通过.PLOT、.PRINT、.MEASURE等语句控制，可以输出节点电压、支路电流和各种测量参数。

请问大神,Hspice里mos管的饱和电压vdsat为什么不等于过驱动电压vod=vgs...

Vod=Vgs-Vth，用MOS的Level 1 Model时，不考虑短沟道效用，Vdsat=Vod=Vgs-Vth，当VdsVdsat时，MOS的沟道就出现Pich-off现象，这时候电流开始饱和。

在电子器件中，MOS管的Vdsat和Vov是两个关键参数，分别代表了不同的工作状态。Vdsat，即饱和漏源电压，当MOS管进入刚性状态或即将关闭时，漏源电压达到这个值。

为了确保晶体管安全地工作在饱和区，维持Vds与Vdsat之间的合适差距至关重要。这一间隙能够防止工艺偏差导致晶体管进入线性区，并在饱和区附近实现较小的源漏电阻rds与较低的晶体管本征增益，优化电路性能。根据普遍情况，推荐Vds与Vdsat之间的差值至少为100mV，最佳值接近200mV。

阈值电压的求法

正确的计算方法是，根据线性区的电流方程： 我用Hspice仿真的方法，用A、B两种方法计算了某0.18um工艺中NMOS的阈值电压，取VDS=0.1V。

Vth=Vrefx[R2/（R1+R2）]。单限比较器阈值电压可以通过以下公式求得：Vth=Vrefx[R2/（R1+R2）]其中，Vth表示阈值电压值，Vref表示参考电压值，R1和R2分别为比较器的两个电阻。

这很简单。当输出为高电平时。U0通过R1二极管是运放的同相端比3V高。（7-0.7-3）/2R1 X R1 +3V 这就是输出高电平时，反相端要达到的阈值电压。

求问,HSPICE中有没有电压控制开关啊,怎么我

在设计过程中，HSPICE的基石是输入网表，其中包含了电压和电流源，如直流、交流、脉冲和混合信号。这些源的精确控制是模拟电路行为的关键。输出文件则展示了丰富多样的结果，包括状态信息、变量列表、深入的分析以及测量数据，如二极管、MOS管等有源器件的响应。

SEPIC（单端主电感变换器）是一种独特的DC-DC转换器，它具有灵活性，能够实现输出电压大于、小于或等于输入电压的多种转换。控制这一过程的关键是主控开关，它可能是三极管或MOS管，其导通比决定了输出电压的水平。SEPIC电路的一大优势在于其输入和输出电压的同极性特性，这对于依赖电池供电的应用尤其理想。

hspice没有let语句，如果你想要实现上面的功能，需要使用measure语句来判断实现。具体的你可以参考教程，很简单。

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