源电压放大倍数（源电压放大倍数计算公式）
本文目录一览：
...是用小信号分析法计算电路的电压增益,源电压放大倍数,输入电阻...
1、图解分析法，主要用来确定静态工作点和分析动态工作过程，不要求用它来计算放大倍数。小信号模型分析方法是分析放大器的一个重要工具。要求理解H参数的引出、等效电路的建立、受控电源的概念，掌握用小信号等效电路计算放大电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的方法。
2、增益（放大倍数）、输入阻抗、输出阻抗，掌握它们的概念与计算方法。 晶体管共射放大电路： 分清直流通路与交流通路； 用近似估算法确定放大电路的直流工作点； 用小信号等效电路方法估算放大电路的性能指标：增益、输入阻抗、输出阻抗； 用图解法确定输出动态范围以及输出波形失真情况。
3、小信号模型分析法是研究共源极放大电路的关键工具，它通过考虑信号量远小于静态栅源电压与阈值电压之差时的线性情况，来简化放大电路的分析。
4、输出阻抗”。一般的功率放大器如扩音器，通常说的输出阻抗是后一个概念的。它和小信号分析时所得的输出阻抗有所不同。它主要取决于末级器件的线性区域的形状和宽度。前一个概念的阻抗匹配，是小信号时整体功率放大倍数最大；后一个概念是：末级器件的线性范围的限制，在此负载下，极限的功率最大。
5、小信号模型分析法：顾名思义，输入信号的电压的幅值很小，你用宏观的分析方法大信号图解分析法，显然结果会很不精确，所以就用小信号模型分析法。小信号模型，就是把抽象元件三极管等效成由电阻、受控电流源等元件组成的二端口网络。这些等效元件有具体数值，可直接数字计算。
6、小信号模型只能分析交流量，无法研究静态工作点，因此在电路设计中具有局限性。最后，通过小信号模型，可以分析MOSFET共源极放大电路的输入电阻和输出电阻。在栅极绝缘的情况下，输入电阻趋向于无穷大，而输出电阻则由电路设计决定。电压增益和放大电路的其他参数可以通过小信号模型进行计算和预测。
三极管中恒流源怎么会提高放大倍数?
三极管的电压放大倍数为：A = 输出电压变化率/输入电压变化率 = （输出电流变化率×输出阻抗）/（输入电流变化率×输入阻抗）由于恒流源对于变化电流的等效电阻非常高（理想恒流源阻抗为无穷大），所以恒流源接在输出端相当于接了一个极大的输出电阻，故放大器增益极大提高。
理论上的恒流源是电流不变，相当于一个交流电阻无限大的电阻，但实际上做不到，能做到也无法用做放大器负载。实际的恒流源相当于一个交流电阻极大（不是无限大）的电阻，就是电压变化很大时电流变化很小，反过来说很小的电流变化就会在这个恒流源上造成很大的电压变化。
恒流亦可叫稳流，意思相近，一般可以不加区别。与恒压的概念相比，恒流的概念就难于理解一些了，因为日常生活中恒压源是多见的，蓄电池、干电池是直流恒压 电源，而 220V 交流电，则可认为是一种交流恒压电源，因为它们的输出电压是基本不变的，是不随输出电流的大小而大幅变化的。
原理很简单，无非是前级差分放大（减少温度漂移，增大输入电阻），中间级共射（获得更大的放大倍数），末级是推挽输出。只是在每一级的具体设计上，利用了很多技术，比如前级放大，用到了镜像恒流源，中间级用到了复合管以增加放大倍数，末级设计了一个平衡温度漂移的设计。
原理是：（电路图无法放大，看不清不能标出元件的标号等，请谅解）运放输出设备电流增大，QQ4输出电流增大，发射极电流增大，发射极电阻压降增大，运放负输入端反馈增大，运放输出电流减小。如此过程，就是Q3和Q4组成恒流源的原理。
受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。
信号源的内阻越大,则放大电路的源电压放大倍数将越小,这句话怎么理解...
1、源电压放大倍数的定义是VO/Vs，VO是输出电压，Vs是信号源电动势。信号源内阻r越大，内阻r上消耗的电压就越大，放大电路输入阻抗R分到的输入电压就越小，放大电路输出电压VO就越低，VO/Vs自然就小了。源电压放大倍数考虑信号源内阻的损耗，一般说的放大倍数Av=VO/Vi，Vi是输入电压，显然，Vi小于Vs。
2、因为所谓的电压放大实际是被放大的电流在负载电阻上产生的电压降，负载电阻越大这个电压降就越大，也就是电压放大倍数越大。Rs是信号源内阻，与放大器的输入电阻Ri呈串联关系，两者结合具有分压作用。
3、比值关系来源：源电压放大倍数是输出电压与电压源的比值；电压放大倍数是输出电压与输入电压的比值。内阻影响：源电压放大倍数与电压源的内阻存在一定影响；电压放大倍数与电压源的内阻Rs无关。
