硅二极管死区电压（硅二极管死区电压是）

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硅二极管和锗二极管的死区电压分别是什么?

1、硅二极管的死区电压一般为0.7V，而锗二极管的死区电压一般为0.3V。正向管压降硅二极管一般为0.7V，而锗二极管一般为0.3V。反向电流硅二极管一般为几微安到几毫安，而锗二极管一般为几毫安到几十毫安。反向电阻硅二极管一般为几十兆欧姆，而锗二极管一般为几百兆欧姆。

2、硅二极管死区电压约0.5伏，锗的0.1伏，正向压降硅0.6~0.7伏，锗0.2~0.3伏，硅反向电流小，耐压高，锗相反。

3、二极管既然是一个PN结，当然具有单向导电性。Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。

硅二极管的死区电压是多少

硅二极管的死区电压通常是0.5V左右。详细解释如下：死区电压，也被称为门槛电压或开启电压，是二极管开始导通前必须克服的电压。对于硅材料制成的二极管，这个电压大约是0.5V。当二极管两端的正向电压小于这个值时，二极管基本上不导电，处于截止状态。

硅二极管的死区电压一般为0.7V，而锗二极管的死区电压一般为0.3V。正向管压降硅二极管一般为0.7V，而锗二极管一般为0.3V。反向电流硅二极管一般为几微安到几毫安，而锗二极管一般为几毫安到几十毫安。反向电阻硅二极管一般为几十兆欧姆，而锗二极管一般为几百兆欧姆。

二极管既然是一个PN结，当然具有单向导电性。Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。

硅二极管的死区电压和导通电压分别为多少?反向饱和电流为多少数量级...

一般来说，小功率硅二极管的死区电压大概是0.5V，导通电压为0.6-0.7V，反向饱和电流一般是uA这个数量级。

一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。

硅二极管的死区电压约为0.5V，而锗二极管约为0.1V。一旦导通，二极管两端的电压会维持在一个稳定值，称为正向电压，硅二极管的正向导通压降约为0.6至0.8V，锗二极管则约为0.2至0.3V。另一方面，当施加的是反向电压时，二极管处于截止状态，此时电流很小，称为反向饱和电流或漏电流。

大多数情况下认为是0.7V。不过实际是PN结VA特性是一条曲线，电压与电流相关，uA级电流0.4V，mA级电流0.7V，因此有0.5V电压也勉强能导通了，而小信号应用大多在mA数量级，所以都说成0.7V是导通电压。

外加电压超过死区电压后，正向电流开始出现，直到等于导通电压，正向电流迅速增加，这时二极管处于正向导通状态。硅管的导通电压为0.6-0. 7V，锗管的导通电压为0.2-0.3V。反向特性 指二极管加反向电压时电流和电压的关系。

不同材料的pn结，二极管，三极管导通电压不同，硅材料三极管，硅材料二极管，硅材料pn结导通电压为0.5-.7伏左右，锗材料pn结，锗材料二极管，锗材料三极管导通电压为0.1-0.3左右。

一般硅、锗二极管的死区电压为多少?导通电压后又是多少

一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。

二极管既然是一个PN结，当然具有单向导电性。Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。

在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，此时的电压为“导通电压”。电压再稍微增大，电流急剧暗加。

锗二极管导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右；硅二极管导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压为0.5V左右。

.锗材料二极管的正向导通死区电压约为0.2V不到，一般导通后的压降按0.2V计算；硅材料二极管的正向导通死区电压约为0.6V，通后的压降按0.7V计算。

硅的死区电压是0.5V，导通电压分别是0.6V，死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。

硅的死区电压和导通电压分别是多少V

1、硅的死区电压是0.5V，导通电压分别是0.6V，死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。

2、Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。

3、一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。

4、三极管死区电压是指三极管在有截止状态转向放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.5V，锗管是0.1V；而导通电压是指三极管处于放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.6~0.7V，锗管是0.2-0.3V。

5、不同材料的pn结，二极管，三极管导通电压不同，硅材料三极管，硅材料二极管，硅材料pn结导通电压为0.5-.7伏左右，锗材料pn结，锗材料二极管，锗材料三极管导通电压为0.1-0.3左右。

硅二极管的死区电压是()v。

1、一般硅二极管的死区电压约为0.5V。死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。（硅和锗是制造晶体管最常用的两种半导体材料，硅管较多，锗管较少。

2、硅二极管的死区电压一般为0.7V，而锗二极管的死区电压一般为0.3V。正向管压降硅二极管一般为0.7V，而锗二极管一般为0.3V。反向电流硅二极管一般为几微安到几毫安，而锗二极管一般为几毫安到几十毫安。反向电阻硅二极管一般为几十兆欧姆，而锗二极管一般为几百兆欧姆。

3、二极管既然是一个PN结，当然具有单向导电性。Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。

4、硅二极管的死区电压通常是0.5V左右。详细解释如下：死区电压，也被称为门槛电压或开启电压，是二极管开始导通前必须克服的电压。对于硅材料制成的二极管，这个电压大约是0.5V。当二极管两端的正向电压小于这个值时，二极管基本上不导电，处于截止状态。

5、大多数情况下认为是0.7V。不过实际是PN结VA特性是一条曲线，电压与电流相关，uA级电流0.4V，mA级电流0.7V，因此有0.5V电压也勉强能导通了，而小信号应用大多在mA数量级，所以都说成0.7V是导通电压。

6、一般来说，小功率硅二极管的死区电压大概是0.5V，导通电压为0.6-0.7V，反向饱和电流一般是uA这个数量级。