场效应管开启电压（场效应管开启电压越高越好）
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场效应管主要参数
1、场效应管的主要参数包括：输入电阻、输出电阻、转移电阻、夹断电压、跨导、最大漏极电流、最大耗散功率、最大栅极电压和漏极-源极击穿电压等。输入电阻：这是衡量场效应管栅极对信号电压控制能力的一个重要参数。输入电阻越大，说明栅极对信号电压的控制能力越强，即栅极电压的变化对漏极电流的影响越大。
2、场效应管主要参数 1 极限参数 极限参数是确保MOS管不损坏的最低要求，也称为最大额定值，超过这些极限值时，MOS管就可能失效损坏，主要参数有：漏源电压Vds，栅源电压Vgs，连续漏极电流Id，瞬时漏极电流Idm，功耗Pd，结温Tj。
3、P75NF75属于晶体管类别，参数是：电流75A 耐压75V，采用TO220形式封装。大部分场效应管的命名都有规律，前面数字代表电流，后面数字代表电压。直流参数 饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
4、首先，直流参数中的饱和漏极电流，IDSS。它定义为当栅极与源极之间的电压UGS等于零，而漏极与源极间的电压UDS大于夹断电压UP时，对应的电流大小。夹断电压UP是指在UDS保持恒定时，漏极电流ID减小到极小值所需的UGS电压。
5、n60场效应管的主要参数包括：最大漏源电压Vdss为600V，最大漏极电流Id为20A，以及一个较低的导通电阻Rds。20n60场效应管是一种常用的电力电子器件，其参数对于理解和应用该器件至关重要。最大漏源电压Vdss是指场效应管在正常工作条件下，漏极与源极之间所能承受的最大电压。
MOS管如何使用?
1、mos管的使用方法主要是通过控制其栅极电压来实现对电路的开关控制。一个简单的电路例子中，假设我们有一个电源、一个灯泡和一个开关，当手触摸开关时，灯泡就会亮起或熄灭。若我们想使用单片机来控制灯泡的开关状态，就需要用mos管来替代这个开关。
2、使用有寄生二极管的P沟道MOS管，S的电压要高于D的电压，原因同上。下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通（当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压）。比如导通电压为3V的N沟道MOS管，只要G的电压比S的电压高3V即可导通（D的电压也要比S的高）。
3、在使用mos管时，必须注意以下几点：首先，确保电路设计中的工作电流、最大漏源电压和最大栅源电压等参数不超过mos管的极限值。其次，不同类型的mos管在接入电路时需严格遵守偏置要求，比如结型mos管的栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不可施加正偏压，P沟道管栅极不可施加负偏压。
4、mos管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将mosmos管放入塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。
5、MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压，超过就击穿了，所以一般是±20V，使用时不能超过。和上一问一样，只有栅极和源极接正向电压才能导通，而且不能超过20V。
场效应管的开启电压为多少
1、场效应管的开启电压为一般约为正2V。 场效应管是场效应晶体管，简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
2、场效应管一般工作在开关状态，即在饱和和截止区之间转换。具体要求一般是：栅极（G）与源极（S）之间的电压高于开启电压（Ugs（th），场效应管的datasheet里面有，一般是2-4V），又小于8V左右时，漏源电压（UDS）小于漏源击穿电压（BUDS）时，场效应管可以工作在饱和区。
3、不是的，似乎为5V，视不同管子而定 26V貌似用于计算晶体管的输入电阻用的26mV吧Rbe近似为300+26mV/Ib。
4、可以的，n沟道导通电压是.07V，加一伏特是可以的。同理，p沟道是-.08v导通，回答完毕。
5、此外，电容参数也是评估场效应管性能的重要指标。输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss以及极间电容，这些参数影响了场效应管的开关速度和效率。例如，Ciss典型值为3660pF，表明在输入端存在一定的电容效应，这会影响到栅极电压的变化速率。
什么叫场效应管的开启电压和夹断电压?
1、夹断电压：指结型或耗尽型场效应管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID减小到一个微小的电流，耗尽层合拢，沟道被夹断时所需的栅源电压VGS。开启电压：增强型绝缘栅场效管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID到达某一个数值，场效应管由截止变为导通时所需的栅源电压VGS。
2、首先，直流参数中的饱和漏极电流，IDSS。它定义为当栅极与源极之间的电压UGS等于零，而漏极与源极间的电压UDS大于夹断电压UP时，对应的电流大小。夹断电压UP是指在UDS保持恒定时，漏极电流ID减小到极小值所需的UGS电压。
3、UP—夹断电压：指使结型或耗尽型绝缘栅场效应管中的漏源刚截止的栅极电压。 UT—开启电压：指增强型绝缘栅场效应管中，使漏源刚导通的栅极电压。 gM—跨导：表示栅源电压UGS对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。
4、指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中栅极电压UGS=0时的漏源电流。UP—夹断电压。是指在结型或耗尽型绝缘栅场效应管中漏源刚好截止时的栅极电压。UT—开启电压。它是指增强型绝缘栅场效应管中漏源刚导通时的栅极电压。gM—跨导。
能让整个场效应管工作起来那最低是多少伏?有三极管,可控硅,最低工作电...
不同场效应管的开启电压是不同的，低的3-5V，高的5-10V，具体开启电压需要查询相应型号场效应管手册。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。
三极管是全控的，可以用小电流控制输出的电流大小。可控硅只能控制通断，可控硅接通后不能自动截断，必须有个负电压才能截断。场效应管不太清楚，这是网上的资料：场效应管与三极管的各自应用特点 场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
可控硅绝大多数故障都是由于过压（电压过大）击穿导致的，你可以安装一个可控硅自动防护装置，这种防护装置包括由导电材料制成的弹簧体，它具有在中心附近折叠弯曲的接触面。可控硅置于接触面之间而端板处于与各接触面电相对的位置上。一个导板置于一个端板和一个接触面之间。
