场效应管输入电压（场效应管输入和输出）
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ZVS输入电压过低会有什么后果(不起振等)?为什么?
1、我实测过使用CBB电容的情况，高压包磁芯参与起振后，该电容迅速升温，然后爆裂。所以电容还是很重要的。再有，ZVS推自绕变压器升压后电压可能会极高，直接击穿了倍压电路中的二极管，由于ZVS开关频率普遍在数十KHz，所以和电容一并短路了输出，当然会引起啸叫，也就是磁饱和或者开关电源的噪音。
2、针对这一类的问题，我们生产变压器有一个原理：功率不变，初级电压越低，输入电流越大。所以初级绕组承受的电流就更大了，所以更容易发热。
3、测量两个场管的导通电压，必须要让两场管的导通电压一致 2电感用1MM的漆包线在磁环上饶27砸，电感在0.4mH 也就是400nH左右，磁环是从电视机拆下的。3 电容 5UF 换成微波炉 0.33UF电容，四个并联（注释；瓷片电容 锡纸电容，都不能正常起振而且场管，严重发烫。
4、应该是没有起振吧，单管一直处于导通状态。检查电路连接是否正确，各个元件参数是否正确。
什么是场效应管,作用是什么?
1、场效应管（FET）是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件，其工作原理是通过输入回路的高输入电阻来控制输出回路的电流。FET具有输入电阻高、噪声小、功耗低等优点，适用于电压控制型应用。 场效应管的工作原理涉及栅极电压对漏极电流的控制。
2、场效应管是一种电子器件，利用电场控制电流流动的特性而得名。它由源极、栅极和漏极组成，在不同的电压下，通过改变栅极电场强弱来调节漏极电流。场效应管具有高输入阻抗、低输出阻抗和高增益等优点，被广泛应用于放大电路的设计、数字逻辑电路和功率放大器等方面。
3、场效应管是一种半导体电子元件，其在电路中的应用广泛且多样。主要作用如下：首先，场效应管以其极高的输入阻抗为特点，使得它在放大电路中表现出优异的性能。由于输入阻抗高，可以减少外部耦合电容的需求，无需使用大型的电解电容器，从而简化了电路设计。
4、场效应管是一种半导体器件，其主要作用是放大信号和控制电流。场效应管是一种利用电场效应工作的半导体器件。简单来说，场效应管利用输入电压控制输出电流或电压的特性来实现放大或控制信号的功能。相比于传统的双极型晶体管，场效应管在工作原理上有着显著的不同。
5、场效应管是一种特殊的半导体器件。场效应管，全称为场效应晶体管或有源场效应器件，是一种利用电场效应原理工作的半导体器件。它主要依靠改变电场来控制电流，具有输入电阻高、噪声系数小、功耗低等显著优点。以下是详细解释： 定义和基本原理：场效应管是一种利用电场来控制电流流动的半导体器件。
6、场效应管是一种基于三极管原理的新一代放大元件，拥有三个极性，分别是栅极、漏极和源极。其显著特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的场效应管内阻可以达到几百兆欧，这使得它成为一种电压控制型器件。简而言之，场效应晶体管简称场效应管，它由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
场效应管的特性是什么?
1、场效应管的一大特性在于其输入端特性，输入电流极小，这意味着它的输入电阻非常高，这对于信号处理和噪声抑制具有显著优势，能有效隔离输入信号与电路的干扰。
2、场效应管的抗辐射能力强；由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
3、场效应管具有以下几个特性：高输入阻抗：场效应管的电阻非常高，相比双极晶体管具有更高的输入阻抗，可以减小输入信号对电路的载波影响，适合用于高输入阻抗要求的应用。低功耗：由于场效应管的输入电流非常小，因此消耗的功率也较低。这使得场效应管特别适用于依赖轻量、低功耗的电路和电子设备。
场效应管的主要参数有那些?
场效应管的主要参数包括：输入电阻、输出电阻、转移电阻、夹断电压、跨导、最大漏极电流、最大耗散功率、最大栅极电压和漏极-源极击穿电压等。输入电阻：这是衡量场效应管栅极对信号电压控制能力的一个重要参数。输入电阻越大，说明栅极对信号电压的控制能力越强，即栅极电压的变化对漏极电流的影响越大。
场效应管的性能特性由多个参数决定，其中包括：首先，直流参数中的饱和漏极电流，IDSS。它定义为当栅极与源极之间的电压UGS等于零，而漏极与源极间的电压UDS大于夹断电压UP时，对应的电流大小。夹断电压UP是指在UDS保持恒定时，漏极电流ID减小到极小值所需的UGS电压。
P75NF75属于晶体管类别，参数是：电流75A 耐压75V，采用TO220形式封装。大部分场效应管的命名都有规律，前面数字代表电流，后面数字代表电压。直流参数 饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
场效应管参数是：N一M0SFET/耐压600V/电流9A/功率50W/。可以替换的如下：K2645：600V，2Ω，9A，50WK2141：600V，1Ω，6A，35WK3326：500V，0.85Ω，10A，40WK1388：30V，0.022Ω，35A，60WK1101：450V，0.5Ω，10A，50W 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET）简称场效应管。
n60场效应管的主要参数包括：最大漏源电压Vdss为600V，最大漏极电流Id为20A，以及一个较低的导通电阻Rds。20n60场效应管是一种常用的电力电子器件，其参数对于理解和应用该器件至关重要。最大漏源电压Vdss是指场效应管在正常工作条件下，漏极与源极之间所能承受的最大电压。
年，MOSFET市场规模首度达到100亿美元，显示出市场需求的提升。在MOSFET的选型中，主要考虑以下几个参数：Id（最大漏源电流）、Idm（最大脉冲漏源电流）、Vgs（最大栅源电压）、V（BR）DSS（漏源击穿电压）、Rds（on）（导通电阻）、Vth（阈值电压）等。
