栅极电压漏极电压高（栅极漏极源极的正负）

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N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复...

在你测量的过程中，如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了，也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作，都会让MOS管的DS持续保持导通。如果电压过高，栅极可能击穿损坏。在测量DS时候，最好将G与S短接，或者GS之间接一个电阻，或者放置在防静电的工作台上。由于MOS过于脆弱，一定保证人体无静电。

N--D之间电压应符合耐压极限参数，超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。

实际使用的时候，要想使其可靠截止，尽可能将VGS保持0或反向电压，即N沟道，VGS≤0V，P沟道≥0V。

首先，截止区是当NMOS管的栅极电压低于阈值电压，使得沟道无法形成，源极和漏极之间处于高阻态。这种情况下，NMOS管相当于一个断开的开关，电流无法从源极流向漏极。其次，线性区或者称为三极管区，是当栅极电压大于阈值电压，沟道形成，源极和漏极之间导通。

源极珊极漏极哪个电压最大

源极。三极管是电流控制电流，在三极管中，源极的电压最大，开关频率特性好，适用于信号源电流大电压小的情况。

漏极。根据查询中关村在线显示。在PMOS晶体管中，当栅极电压低于源极电压时，电流可以从漏极流向源极。而当栅极电压高于源极电压时，电流无法从漏极流向源极。所以当PMOS晶体管处于导通状态时，漏极电压会比源极电压高。

场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V）。

Vds增加时，由电流Id流过，由于沟道存在一定的电阻，因此，Id沿沟道产生的电压降使沟道内各点的电位不再相等，漏极端电位最高，源极端最低。

mos管的栅源电压和漏源电压加倍的效果有啥不同

1、对MOS管的工作产生的影响不同。栅源电压是指MOS管栅极和源极之间的电压差，当栅源电压加倍时，MOS管的电流会增加，这是因为栅源电压越高，MOS管的导通越好，电流就会更大，同时栅源电压还会影响MOS管的阈值电压，即使电流增加，MOS管的阈值电压也可能会发生变化。

2、电流流向不同。把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。作用不同。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。由于导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。

3、其次，RDSN是漏源电阻，表示漏极和源极之间的电阻。当MOS管处于导通状态时，RDSN的大小会影响漏极电流的大小。一般来说，RDSN越小，漏极电流越大，MOS管的导通能力越强。然后，我们需要理解栅极电压对RDSN的影响。当栅极电压增加时，导电沟道的宽度增加，使得漏极和源极之间的电阻减小，即RDSN减小。

4、栅源电压（Vgs）的作用在于调节栅极对导电沟道的控制强度，进而影响漏源电流（Ids）。当Vgs增加时，栅极电场增强，使得导电沟道更易于导电，从而使Ids增加。反之，当Vgs减小时，栅极电场减弱，沟道导电性变差，Ids随之减小。

5、总的来说，源极和漏极在电路中的作用不同。源极主要负责控制导电沟道的开启和关闭，而漏极主要负责收集电子并输出电流。在实际应用中，正确理解和区分源极和漏极的功能至关重要，这有助于设计出高效、稳定的电路。源极和漏极之间的关系决定了场效应管的工作模式，包括增强型和耗尽型。

N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏

N--D之间电压应符合耐压极限参数，超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。

由于栅极绝缘程度极高，栅极又有电容特性。因此极容量积累电荷，并存储电荷，形成电压。在你测量的过程中，如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了，也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作，都会让MOS管的DS持续保持导通。如果电压过高，栅极可能击穿损坏。

首先，截止区是当NMOS管的栅极电压低于阈值电压，使得沟道无法形成，源极和漏极之间处于高阻态。这种情况下，NMOS管相当于一个断开的开关，电流无法从源极流向漏极。其次，线性区或者称为三极管区，是当栅极电压大于阈值电压，沟道形成，源极和漏极之间导通。

随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO3DO3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。

MOS管的导通条件取决于栅极和源极之间的电压。当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时，MOS管会导通。在N沟道MOS中，当栅极电压高于源极电压加上阈值电压时，NMOS管导通；而在P沟道MOS中，当栅极电压低于源极电压减去阈值电压时，PMOS管导通。

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