厄利电压（厄利电压怎么测）
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厄利电压多大
其中，VCE代表集电极与发射极之间的电压差，VT是热电压，通常约为kT/q，约等于25毫伏（k为玻尔兹曼常数，T为绝对温度，q为电子电荷）。厄利电压（通常在15伏特至150伏特范围内，小型设备则更低）则被称为厄利电压，用VA表示。在零偏压状态下，正向共射极电流放大系数称为βF0。
通常二者满足下列关系：其中VCE是集电极－发射极电压VT是热电压kT / qVA是厄利电压（一般为15 V－150 V，对于小型设备会更小）βF0是零偏压时的正向共射极电流放大系数某些模型把集电极电流校正系数建立在集电极－基极电压VCB（基区宽度调制）而不是集电极－发射极电压VCE的基础上。
不同的器件导通电压不同，一般高压器件在7-10V之间，低压器件3-6V之间，低内阻器件还会更低。
厄利电压：由于基区变得更窄，电子与空穴复合的可能性更小。若穿过基区的电荷梯度增加，那么注入基区的少子电流会增加。
即为厄利电压（Early voltage），用VA表示。厄利效应揭示了一个重要现象：当基区宽度发生改变时，会导致集电极-基极需要更大的反向偏置电压，这会进一步增加集电极-基极耗尽区的宽度，同时减少基区宽度。总的来说，当集电极电压（VC）增加时，集电极电流（IC）也会随之提升。
厄利效应现象
厄利效应揭示了一个重要现象：当基区宽度发生改变时，会导致集电极-基极需要更大的反向偏置电压，这会进一步增加集电极-基极耗尽区的宽度，同时减少基区宽度。总的来说，当集电极电压（VC）增加时，集电极电流（IC）也会随之提升。
从厄利效应可以看出，如果BJT的基区宽度发生变化，会导致更大的反向偏置电压在集电极－基极接面，会增加集电极－基极耗尽区宽度，减少基区宽度。总的来说，增加集电极电压（VC），集电极电流（IC）也会跟着上升。
厄利效应是指过多的信息在人们的大脑中产生的一种消极影响，具体体现为信息过载和决策失误等问题。首先，随着我们现代社会信息爆炸的日益加剧，人们面对着各种各样的信息，但是我们的大脑处理信息的能力却是有限的，这就导致了信息过载的问题。
厄利效应大信号模型
在一些电路理论模型中，为了更准确地描述厄利效应，集电极电流校正系数是基于集电极－基极电压VCB，而不是直接基于集电极－发射极电压VCE来计算的。这是因为厄利效应的物理机制表明，基区宽度的变化，即集电极－基极耗尽层的宽度变化，实际上是由VCB的改变所驱动的。
在小信号电路的分析中，厄利效应在混合π模型中体现为一个特定的电阻，这个电阻与晶体管的集电极-发射极PN结密切相关。它在电路中起到了关键作用，特别是在电流镜或者有源负载共射极放大器中，它限制了输出电阻的特性。
在小信号电路模型（如混合π模型）中，厄利效应可以被定义为满足如下关系的电阻：可看出上式与晶体管的集电极－发射极PN结有关，因此这一电阻定义可解释简单电流镜或有源负载共射极放大器的有限输出电阻。
厄利电压物理意义
1、电势差、能量转换、路径选择。厄利电压本质上是电势差的一种体现；厄利电压还反映了电子在电场中运动过程中路径选择的影响；由于电势能的变化可以转化为电能或其他形式的能量，因此厄利电压也可以描述能量从电场中传输到电荷的过程。厄利电压，由于基区变得更窄，电子与空穴复合的可能性更小。
2、厄利电压：由于基区变得更窄，电子与空穴复合的可能性更小。若穿过基区的电荷梯度增加，那么注入基区的少子电流会增加。
3、厄利效应揭示了一个重要现象：当基区宽度发生改变时，会导致集电极-基极需要更大的反向偏置电压，这会进一步增加集电极-基极耗尽区的宽度，同时减少基区宽度。总的来说，当集电极电压（VC）增加时，集电极电流（IC）也会随之提升。
厄利效应小信号模型
1、在小信号电路的分析中，厄利效应在混合π模型中体现为一个特定的电阻，这个电阻与晶体管的集电极-发射极PN结密切相关。它在电路中起到了关键作用，特别是在电流镜或者有源负载共射极放大器中，它限制了输出电阻的特性。
2、在小信号电路模型（如混合π模型）中，厄利效应可以被定义为满足如下关系的电阻：可看出上式与晶体管的集电极－发射极PN结有关，因此这一电阻定义可解释简单电流镜或有源负载共射极放大器的有限输出电阻。
