mosfet击穿电压（mosfet击穿电压随器件结温上升而）

本文目录一览：

• 1、深入理解MOSFET规格书/datasheet
• 2、mosfet规格书中vgs的第三个参数应该怎么理解?
• 3、功率MOSFET的直流特性
• 4、【icspec】深入解析MOSFET规格书/datasheet
• 5、半导体功率MOSFET雪崩效应的详解;

深入理解MOSFET规格书/datasheet

深入解析MOSFET规格书，是电源工程师在选择MOSFET型号时的必修课。MOSFET规格书中包含了大量信息，工程师们往往需要细致解读，以确保器件在实际应用中的稳定性和可靠性。以下将以英飞凌MOS芯片型号IPP60R190P6为例，分享对MOSFET规格书的理解。

在电源设计领域，MOSFET作为关键元件，对电路性能影响深远。规格书是了解MOSFET特性的关键资料。本文将通过英飞凌IPP60R190P6型号，分享解析MOSFET规格书的主要参数和选型策略。首先，理解规格书中关键参数至关重要。

本文旨在对半导体MOSFET的数据手册（Datasheet）进行深入理解，以提升对MOSFET应用及质量管理的认知。数据手册作为产品技术的基石，包含了从电气特性到工作原理的详尽信息，对于工程师、质量管理人员及应用工程师而言，理解数据手册是确保产品性能与安全的关键。

mosfet规格书中vgs的第三个参数应该怎么理解?

在MOSFET规格书中，VGS（栅极-源电压）的第三个参数是评估该器件性能的关键指标。这个参数值是在特定测试条件下测量的，它表示当栅极电压VGS保持在一个固定的电压水平，并且这个电压的上升沿被定义为一个25纳秒（ns）的脉冲时，MOSFET能够在多高的工作频率下稳定地工作。

strongVGS的第三个参数，实际上指的是该元器件在特定测试条件下的性能指标。 这个参数并非孤立存在，它描绘的是当mosfet的栅极（Gate）持续接收到一个特定电压值，即VGS，同时这个电压的上升沿被设定为一个25纳秒（ns）的快速脉冲时，mosfet能否稳定地在高频开关模式下正常运行和表现出高效能的特性。

阈值电压（Gate-source threshold voltage，VGS（th），测试条件：结温25℃，VDS=VGS， ID为某定值（如1mA）；其值为典型值（如3V，通常还会给出最小值/最大值和高温典型值）；每家均有；其含义为栅-漏短接施加电压，当漏极电流达到某定值时刻的栅-源电压值。

绝对最大额定参数 VDS表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。VGS表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。ID表示漏极可承受的持续电流值。IDM表示的漏源之间可承受的单次脉冲电流强度。EAS表示单脉冲雪崩击穿能量。PD表示最大耗散功率。TJ和Tstg标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间。

VGS，最大栅源电压，是允许施加的最大电压，旨在防止高电压导致栅氧化层损伤。实际可承受的电压远高于额定值，但受制造工艺影响。ID，连续漏电流，描述在最大额定结温下，管表面温度为25℃或更高时允许的最大直流电流。

功率MOSFET的直流特性

功率MOSFET的直流特性深受温度影响。以N沟道MOSFET为例，其关键参数如击穿电压BV、导通电阻Rdson、阈值电压Vth、反偏漏电流Ids和体二极管正向导通电压Vsd，均表现出显著的温度依赖性。BV，即漏源间体二极管在雪崩击穿时的电压，工业测试通常设定在栅极电压为0，漏源电流1mA或250uA时。

与双极型晶体管相比，VDMOSFET具有更高的开关速度和更低的开关损耗，更高的输入阻抗和更小的驱动功率，以及更好的频率特性。其线性跨导特性也非常好。特别值得一提的是，VDMOSFET具有负的温度系数，避免了双极型晶体管的二次击穿问题，并且具有较大的安全工作区域。

功率场效应晶体管（Power MOSFET）是利用半导体材料的场效应原理制成的器件，它通过施加在半导体表面的外电场来控制或改变半导体导电特性。 功率MOSFET的元件符号如图1所示，其中G、D、S分别代表栅极、漏极和源极。除了功率MOSFET，还有MISFET、MESFET、JFET等几种场效应晶体管。

MOSFET的输出特性，即漏极伏安特性，展示了在不同UGS下的ID变化。电力MOSFET的工作状态主要在截止区和非饱和区之间转换。 电力MOSFET的漏源极间存在寄生二极管，当施加反向电压时，器件会导通。此外，通态电阻具有正温度系数，有助于并联器件的均流。 MOSFET的开关过程包括开通过程和关断过程。

场效应管的特性参数包括绝对最大额定值、额定电压、额定电流、额定功耗与额定温度等。绝对最大额定值是任何情况下都不允许超过的最大值。额定电压包含VDSS（漏极与源极之间的最大电压值）与VGSS（栅极与源极之间的最大电压值）。

图3展示了SIPMOS的输出特性，显示了栅极控制电流与电压关系。功率MOSFET作为电压型控制器件，具有与集成电路连接方便、开关频率高（可达100MHz）等优点，但导通电阻相对较大，且在低频下功率损耗高于双极型晶体管（GTR）。尽管如此，由于其能显著缩小装置体积并提高性能，正逐步取代容量相等的GTR。

【icspec】深入解析MOSFET规格书/datasheet

深入解析MOSFET规格书，是电源工程师在选择MOSFET型号时的必修课。MOSFET规格书中包含了大量信息，工程师们往往需要细致解读，以确保器件在实际应用中的稳定性和可靠性。以下将以英飞凌MOS芯片型号IPP60R190P6为例，分享对MOSFET规格书的理解。

在电源设计领域，MOSFET作为关键元件，对电路性能影响深远。规格书是了解MOSFET特性的关键资料。本文将通过英飞凌IPP60R190P6型号，分享解析MOSFET规格书的主要参数和选型策略。首先，理解规格书中关键参数至关重要。

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半导体功率MOSFET雪崩效应的详解;

功率MOSFET的体二极管设计用于在关断状态下阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的雪崩击穿现象是指反向偏置体二极管两端的电场导致漏极和源极端子之间产生大量电流流动。典型阻断状态下的漏电流范围为几十皮安到几百纳安。根据电路条件，雪崩、MOSFET漏极或源极中的电流范围可以从微安到数百安。

当二极管承受反向电压时，截止特性表现为缓慢上升的截止电流，在特定电压下出现陡升导致击穿。击穿效应有齐纳效应和雪崩效应。功率二极管的动态特性包括开通和关断特性。开通特性中，电压逐渐增加，电流随之上升，达到峰值电压后正向电流饱和。

雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。该电流将耗散功率，使器件的温度升高，并可能导致器件损坏。半导体公司都会对器件进行雪崩测试，计算其雪崩电压，或对器件的稳健性进行测试。计算额外雪崩电压有两种方法；一是统计法，另一是热计算。