n沟道mos管导通电压（n沟道mos管应用电路）

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N沟道场效应管控制极启动电压多少伏,栅极加1V电压能导通不?

可以的，n沟道导通电压是.07V，加一伏特是可以的。同理，p沟道是-.08v导通，回答完毕。

栅源电压V（GS）的控制作用：当V（GS）=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN结隔离，因此，即使在D、S之间加上电压， 在DS间也不可能形成电流。

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

MOS管的导通条件取决于栅极和源极之间的电压。当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时，MOS管会导通。在N沟道MOS中，当栅极电压高于源极电压加上阈值电压时，NMOS管导通；而在P沟道MOS中，当栅极电压低于源极电压减去阈值电压时，PMOS管导通。

MOS管导通条件是什么?

1、P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

2、电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。

3、对于NMOS，当Vg减Vs大于Vgs（th）时，MOS管导通G极和S极的差大于一定值，MOS管会导通，不能大太多，Vgs（th）和别的参数需要看MOS管的SPEC。

4、MOS管的导通状态主要取决于栅极电压的大小。当栅极电压大于0V时，即栅极相对于源极的电压为正时，会在半导体基底中形成一个导电沟道，使得漏极和源极之间的电流可以流通，此时MOS管处于导通状态。栅极电压越高，导电沟道的宽度越大，通过的电流也就越大。

详解P沟道mos管与N沟道mos管

1、P沟道MOS管的开关特性： 当栅源电压GS为-1V（S=8V， G=8V），相比于S=8V， G=8V的不导通状态，它需要一个负电压差（-0.4V）来导通。控制栅极GPIO的电压要求在4V以上以确保关断，而在8V以下则能实现导通，但精确度受限。

2、N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面，N沟道的Vgs是正的，P沟道的Vgs是负的。只要Vgs达到了打开的门限值，漏级和源级就可以过电流了。区分：首先，先判定MOS的三个极，G极，中间的电极为G极，非常好认。S极，两根线相交的极就是S极。

3、P沟道MOS管的结构中，P型半导体形成漏极和源极，栅极由金属铝制成，栅极与源极间有二氧化硅绝缘层。N沟道增强型MOS管在开启电压VT以上导通，随栅压增大，导电沟道增厚，而耗尽型MOS管在无栅压时已有初始沟道。

4、N沟道MOS管，也就是NMOS管，其基本结构由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成。当栅源电压大于阈值电压时，n沟道形成，使漏源电流产生。这类MOS管工作在开关状态，电流的大小取决于栅源电压，且开关速度较快。相比之下，P沟道MOS管，即PMOS管，工作原理与NMOS管相反。

5、MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。

6、N沟道MOS管与P沟道MOS管是MOS管集成电路中的两种类型，它们共同构成了互补型MOS管集成电路（CMOS电路）。N沟道MOS管由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成，导通时形成n型导电沟道。N沟道增强型MOS管需在栅极上施加正向偏压，并且仅在栅源电压大于阈值电压时，才会有导电沟道产生。

请问,N沟道MOS管,是不是只要Vgs电压达到要求,不管源极电位是多少都能...

1、端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

2、N沟道的MOS管导通只要Vgs大于其开启电压Vth即可。但其阻抗R=1/K（Vgs—Vth—Vds），所以在MOS管做好后，其阻抗与Vg成反比。

3、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

4、指的是开启电压，最小0.6V，最大2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。

什么型号的N沟道场效应管在4v栅极电压下可以完全导通?

1、V完全导通？不可能的。一般MOS管完全导通要10V以上，而且MOS管的导通其实也是一个过程，UGS（th）只是开始导通，这个值一般也都有2-4V了。我建议你还是换固态继电器这种当开关比较好，适合你的要求。

2、NMOS（增强型N沟道MOSFET）在栅极电压达到4V或10V时开始导通，适合于源极接地的情况。PMOS（增强型P沟道MOSFET）在栅极电压低于一定值时开始导通，适合于源极接VCC的情况。导通后，MOSFET具有一定的导通电阻，导致电流在电阻上消耗能量，这部分能量称为导通损耗。选择导通电阻小的MOSFET可以减小导通损耗。

3、场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

4、可以的，n沟道导通电压是.07V，加一伏特是可以的。同理，p沟道是-.08v导通，回答完毕。