esd钳位电压（钳位电压符号）
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usbpx6静电保护二极管参数?
1、USBLC6-2SC6是ESD静电保护二极管，在电路中起到静电防护的作用。
ESD二极管-(1)关键参数
1、最后，本节详细阐述了关键参数，包括峰值脉冲功率、峰值脉冲电流、结温、存储温度、工作峰值反向电压、总电容、动态电阻、反向击穿电压和反向电流。这些参数决定了ESD保护二极管的性能表现，设计时需要综合考虑它们，以保证系统的ESD保护性能。
2、SRV05-4低电容ESD静电保护二极管，0PF—5PF的低结电容，是USB0、DVI、SIM卡、网口等高速数据线理想的静电保护器件，可用于满足IEC 610004-4级（±15kV空气、±8kV接触放电）的ESD抗扰度要求。
3、反向击穿电压（VBR）：定义为1mA时的保护起始电压。反向电流（IR）：在VRWM下的漏电流，是ESD保护二极管的性能指标。钳位电压（VC）：特定峰值脉冲电流下的最大电压钳制值。
4、ESD二极管的主要参数有VRWM最大反向工作电压、BBR击穿电压、VC最大钳位电压。
5、DW15D3HP-S等。具体参数如下图所示。选择SOD-323F封装ESD二极管应结合实际应用需求、成本等因素。从图中可见，SOD-323F封装ESD保护管工作电压范围从5V到15V，具备低漏电流、低箝位电压、瞬态功率大的特点。如需具体应用ESD二极管，请直接联系ESD保护管制造商东沃电子（DOWOSEMI）寻求专业建议。
6、TVS二极管，又称为ESD保护二极管，是电子设备中的一种关键组件，用于保护电路免受过电压浪涌，特别是静电放电（ESD）事件的影响。它是一种特殊的齐纳二极管，具备独特的反向击穿特性，能在电压超过其反向击穿电压（VBR）时形成恒压，吸收ESD能量，避免电路损坏。
esd静电二极管参数
SRV05-4低电容ESD静电保护二极管，0PF—5PF的低结电容，是USB0、DVI、SIM卡、网口等高速数据线理想的静电保护器件，可用于满足IEC 610004-4级（±15kV空气、±8kV接触放电）的ESD抗扰度要求。
最后，本节详细阐述了关键参数，包括峰值脉冲功率、峰值脉冲电流、结温、存储温度、工作峰值反向电压、总电容、动态电阻、反向击穿电压和反向电流。这些参数决定了ESD保护二极管的性能表现，设计时需要综合考虑它们，以保证系统的ESD保护性能。
具体参数如下图所示。选择SOD-323F封装ESD二极管应结合实际应用需求、成本等因素。从图中可见，SOD-323F封装ESD保护管工作电压范围从5V到15V，具备低漏电流、低箝位电压、瞬态功率大的特点。如需具体应用ESD二极管，请直接联系ESD保护管制造商东沃电子（DOWOSEMI）寻求专业建议。
反向击穿电压（VBR）：定义为1mA时的保护起始电压。反向电流（IR）：在VRWM下的漏电流，是ESD保护二极管的性能指标。钳位电压（VC）：特定峰值脉冲电流下的最大电压钳制值。
ESD静电保护(ESD器件保护原理及选型)
1、ESD器件的工作电压（VRWM）与击穿电压（VBR）存在差异。选择ESD器件时，应确保系统工作电压低于ESD器件的工作电压（VRWM），例如系统工作电压为0~5V，则应选择工作电压（VRWM）大于5V的TVS。单向ESD器件和双向ESD器件存在区别。
2、ESD保护可以从晶圆厂制造过程解决，也可以通过集成电路设计端的布局设计实现。Process层提供ESD选项层，而Design rule中包含ESD设计规则，客户可根据SPICE模型的电性设计ESD。在制程中，可以通过改变PN结或负载电阻来实现ESD保护。
3、PMOS的设计原理相似。设计的关键在于触发、维持Snap-back，以及支撑到HBM标准的ESD耐受能力。改善触发电压，可以通过增加漏极非硅化区域电阻或在N+漏极下添加P+ ESD植入来实现。
4、是静电对产品产生影响的途径，即高静电 源通过与产品的接触，将静电释放至产品的表面，从而将产品电击穿（hard ESD）形 成ESD坏品，也就是ESD的最基本的概念。指静电（Q）产生的途径，即物体的接触与分离即产生静电，可参考上文。
5、防静电材料又称为ESD防护材料，通常在电子行业所用防静电材料应属静电耗散和导静电类。接地的几个概念如下：（1）地：能接受或供给大量电荷的物体（如大地、舰船或运载装备外壳等）。（2）接地极：埋入大地以便与大地良好接触的导体。
6、在实际电路设计中，TVS二极管是常用的防护器件，能够吸收浪涌电压，保护电路中的敏感元件。 TVS二极管在防护电路中的应用 例如，双向ESD防护电路设计巧妙地利用TVS二极管，确保USB插头拔插时的正负ESD都能被有效吸收，防止对电路的损害。
ESD设计中电源ESD钳位电路的作用及设计浅析
1、总结来说，电源ESD钳位电路的设计和布局对芯片的ESD防护至关重要，通过合理的电路设计，可以有效保护芯片免受ESD损害。如果你对这个主题感兴趣，可参考知乎文章深入了解ESD保护器件的工作原理。
2、ESD保护可以从晶圆厂制造过程解决，也可以通过集成电路设计端的布局设计实现。Process层提供ESD选项层，而Design rule中包含ESD设计规则，客户可根据SPICE模型的电性设计ESD。在制程中，可以通过改变PN结或负载电阻来实现ESD保护。
3、寿命（ESD Pulse Withstanding）TVS技术凭借半导体钳位原理，能高效吸收冲击能量，几乎无寿命限制。然而，压敏电阻的物理吸收特性意味着，每次ESD冲击都会对其材料造成损伤，导致性能随使用次数下降，存在寿命限制。
