当PN结外加正向电压时（当pn结外加正向电压时p区接电源）

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PN结外加正向电压作用下,内电场是削弱吗?

1、是 由于电子和空穴的扩散作用，P区的空穴和N区的电子相互扩散。因为失去正电荷空穴，P区为负，因为失去负电荷电子，N区为正。

2、pn结工作原理：如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极，如右图所示。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。

3、【答案】：PN结具有单向导电性关键在于有内电场。在外加正向电压作用下，削弱了内电场，PN结变窄，有利于多子扩散，所以正向电流大，容易导电。在反向电压作用下，外加电场与内电场方向相同，PN结变宽，不利于多子扩散，有利于少子漂移。但因少子数量少，所以反向电流很小。

4、PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄是因为：PN结外加正向电压，此时外电场将多数载流子推向空间电荷区，使其变窄，削弱了内电场，破坏了原来的平衡，使扩散运动加剧，漂移运动减弱，由于电源的作用。扩散运动将源源不断地进行，从而形成正向电流，PN结导通。

5、如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。

PN结的导电性和击穿

1、pn结的主要特性是单向导电性、电容效应、击穿特性。资料扩展：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。

2、pn结的基本特性是单向导通、反向饱和漏电或击穿导体，也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。

3、PN结的单相导电性 当PN结外加正向电压时，正向电压将推动P区的空穴向N区移动，与负离子中和；同时，N区的自由电子向P区移动，与正离子中和，内电场的电荷被中和，内电场电势降低。这时，扩散电流大于漂移电流，形成“正向电流”。外电场增强时，内电场减弱，正向电流随之增大。

4、雪崩击穿：在掺杂浓度较低的PN结中，当阻挡层的电场增强，载流子速度加快，足以撞出共价键中的价电子，形成自由电子-空穴对。这个过程会引发连锁反应，导致阻挡层中载流子数量急剧增多，如同雪崩。击穿电压相对较高。

5、PN结被击穿后，PN结上的压降高，电流大，功率大。当PN结上的功耗使PN结发热，并超过它的耗散功率时，PN结将发生热击穿。

当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流。

1、是平面型半导体二极管，它的PN结是用扩散法工艺制作的。平面型二极管常用硅平面开关管，其PN结面积较大时，适用于大功率整流；其PN结面积较小时，适用于脉冲数字电路中做开关管使用。

2、当pn结加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。

3、这时，扩散电流大于漂移电流，形成“正向电流”。外电场增强时，内电场减弱，正向电流随之增大。在正常导通情况下，从P端至N端存在压降，即为内电场电压。微小的外电场电压变化，会导致正向电流显著变化，此时PN结可视为小电阻，加上恒定的电压压降。

4、PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

5、正偏越大，扩散电流越大，漂移电流越小，饱和导通，扩散电流最大，漂移电流最小。反过来pn结截止时，扩散电流最小，漂移电流最大。

6、平衡状态下的PN结中扩散电流与漂移电流相等，加正向偏压后，正向电压落在空间电荷区并与空间电荷区，自建电场的电压方向相反，等于削弱了自建电场，空间电荷区势垒降低，扩散电流超过了漂移电流，使PN结导通。随着正向电压的增大，空间电荷区长度缩短，势垒变低，电压变低。

PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄?

1、PN结加正向电压，电场减弱，则相应的空间电荷减少，因而空间电荷区变窄。即P区接正极，N区接负极，由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。

2、PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄是因为：PN结外加正向电压，此时外电场将多数载流子推向空间电荷区，使其变窄，削弱了内电场，破坏了原来的平衡，使扩散运动加剧，漂移运动减弱，由于电源的作用。扩散运动将源源不断地进行，从而形成正向电流，PN结导通。

3、PN结加上正想电压为什么空间电荷区变窄加上反相电压为什么空间电荷区变宽 我来答 分享 微信扫一扫 网络繁忙请稍后重试 新浪微博 QQ空间 举报 可选中1个或多个下面的关键词，搜索相关资料。也可直接点“搜索资料”搜索整个问题。

4、空间电荷区在不加正向电压的时候，是由于P型的空穴与N型的电子复合产生的区域，在PN结的边界处，P区空穴复合，留下了不能自由移动的负电荷，N区电子复合，留下了不能自由移动的正电荷，这个内电场的方向与外部正向电压相反，所以增加正向电压会使得空间电荷区变窄。

1.当PN结外加正向电压时,耗尽层的宽度将变()

1、耗尽层将变窄。根据查询相关公开信息显示，PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。PN：是指公称压力，用在管道及管道配件、阀门等壳体设备的压力表示上。

2、当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下，载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽，耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。

3、平衡状态下的PN结中扩散电流与漂移电流相等，加正向偏压后，正向电压落在空间电荷区并与空间电荷区，自建电场的电压方向相反，等于削弱了自建电场，空间电荷区势垒降低，扩散电流超过了漂移电流，使PN结导通。随着正向电压的增大，空间电荷区长度缩短，势垒变低，电压变低。

4、【答案】：答案：错 解析：当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

5、当pn结加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。

6、便可制成P型半导体和N型半导体。空穴参与导电是半导体不同于金属导电的重要特点。当PN结外加正向电压（正向偏置）时，耗尽区变窄，有电流流过；而外加反向电压时，耗尽区变宽，没有电流流过或电流极小，这就是半导体二极管的单向导电性，也是二极管最重要的特性。

...端电压与电流符合欧姆定律吗?它为什么具有单向导电性?在PN结加...

PN结上的电压与电流不符合欧姆定律。当PN结外加正向电压时，电流随电压按指数规律变化；当PN结加反向电压时，电流约等于反向饱和电流。当外加电压极性不同时，PN结表现出不同的导电性能，即出现单向导电性。当PN结外加正向电压时处于导通状态，当PN结外加反向电压时处于截止状态，故呈现单向导电性。

PN结上电压与电流不是线性的。加上正向电压时，P区的空穴与N区的电子在正向电压所建立的电场下相互吸引产生复合现象，导致阻挡层变薄，正向电流随电压的增长按指数规律增长，宏观上呈现导通状态，而加上反向电压时，情况与前述正好相反，阻挡层变厚，电流几乎完全为零，宏观上呈现截止状态。

PN结上的电压与电流不符合欧姆定律。当PN结外加正向电压时，电流随电压按指数规律变化；当PN结加反向电压时，电流约等于反向饱和电流。欧姆定律的简述是：在同一电路中，导体中的电流跟导体两端的电压成正比，跟导体的电阻成反比。

在静态（且无光，热，辐射的影响）半导体的“等效电阻”与电流，电压的关系也是符合欧姆定律的。只不过是这个“等效电阻”，它不是常量。它是随外加电压的改变而改变。