esd击穿电压（apd击穿电压）
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ESD保护器件(TVS/MLV)的特性及应用电路
寿命（ESD Pulse Withstanding）TVS技术凭借半导体钳位原理，能高效吸收冲击能量，几乎无寿命限制。然而，压敏电阻的物理吸收特性意味着，每次ESD冲击都会对其材料造成损伤，导致性能随使用次数下降，存在寿命限制。
ESD保护元件通常采用半导体或陶瓷材料，如瞬态电压抑制器（TVS）或压敏电阻。TVS为二极管形式，而压敏电阻则为多层陶瓷元件，各自具有不同的应用领域和特性。工程师应根据信号特性评估元件选择，确保在高速总线应用中有效保护设备。插入损耗是决定采用TVS还是压敏电阻的关键因素，电容特性也会影响元件的选择。
这款TVS管的优势在于其小型封装，便于在紧凑的设备中使用，特别适合替换在ESD保护应用中的MLV产品。它可以保护一个I/O或电源线，具有较低的钳位电压，有助于减少电路冲击。此外，它的泄漏电流低，采用了硅雪崩半导体技术，保证了长时间的稳定运行。
SES5VD523-2B是一款具有高性能的TVS管，其特点如下：它具有每线路峰值脉冲功率高达200W（tP = 8/20μs），适用于高压保护场景。该产品采用紧凑的SOD-523封装，可以替代MLV（0603）型号，提供双向配置，适应多种应用需求。响应时间通常在1纳秒以内，这意味着它能快速有效地保护电路免受瞬态冲击。
看是什么材料的 如果是用晶体的，烘干一下就好了，（TVS）如果是高分子或者压敏材料的，我建议最好别用了。
ESD二极管参数
1、极限参数与电气特性峰值反向电压（VRWM）：高阻抗，确保信号线不受过电流冲击。总电容（Ct）：包括结电容和封装寄生电容，随反向电压的上升而减小。动态电阻（RDYN）：衡量ESD性能，反向电压增大时电流变化的陡峭程度。反向击穿电压（VBR）：定义为1mA时的保护起始电压。
2、具体参数如下图所示。选择SOD-323F封装ESD二极管应结合实际应用需求、成本等因素。从图中可见，SOD-323F封装ESD保护管工作电压范围从5V到15V，具备低漏电流、低箝位电压、瞬态功率大的特点。如需具体应用ESD二极管，请直接联系ESD保护管制造商东沃电子（DOWOSEMI）寻求专业建议。
3、最后，本节详细阐述了关键参数，包括峰值脉冲功率、峰值脉冲电流、结温、存储温度、工作峰值反向电压、总电容、动态电阻、反向击穿电压和反向电流。这些参数决定了ESD保护二极管的性能表现，设计时需要综合考虑它们，以保证系统的ESD保护性能。
pesd5vl2bt是什么元件
1、这个型号应该是：PESD5V0L2BT，是一款ESD静电保护二极管，工作电压5V，击穿电压5V，峰值脉冲电流20A，钳位电压22V，结电容120PF，丝印标识C05。
