mos管ds电压（mos管ds电压50Ω）

频道：其他 日期： 浏览：91

本文目录一览：

求助关于驱动过程中mos管DS两端电压的问题

但是将5V接5欧电阻时，问题很严重：刚上电时，变压器蜂鸣逐渐加重，MOSFET两端电压反常，波形如下图，而且测得的周期（约75us）与设计值（40kHz，25us）差了3倍。这是过载了，芯片进入了降频保护模式。5V输出电压下降很快，大约在十几秒后降至不足1V。

因为电压过大造成moS管断开。这种现象叫过流，即mos能过通过的额定电流，在mos管的芯片手册上会有相关的参数说明，如果mos管的电流过大，会产生极高的热量，以至于损坏芯片。

因为一般DS耐压100V左右的NMOS，其栅极耐压也就20或30V，这个要看你的MOS的说明书。理论上，GS电压越高，NMOS导通内阻越小，但是，由于要给栅极电容充电到高压，所以整个开启速度会变慢，所以并不是电压越高越好。关于周期，你可以用你的驱动电流和栅极电容进行计算，看看开启速度能不能满足你的要求。

MOS管导通条件是什么?

MOS管的导通条件取决于栅极和源极之间的电压。当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时，MOS管会导通。在N沟道MOS中，当栅极电压高于源极电压加上阈值电压时，NMOS管导通；而在P沟道MOS中，当栅极电压低于源极电压减去阈值电压时，PMOS管导通。

电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。

对于NMOS，当Vg减Vs大于Vgs（th）时，MOS管导通G极和S极的差大于一定值，MOS管会导通，不能大太多，Vgs（th）和别的参数需要看MOS管的SPEC。

PMOS增强型管：uG-uS0 ， 且 |uG-uS||uGS（th）| ， uGS|th|是开启电压；NMOS增强型管：uG-uS0，且 |uG-uS||uGS（th）| ，uGS|th|是开启电压；PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。

首先，从极性上来看，NMOS是一种N型场效应管，即N型沟道、P型衬底；而PMOS则是一种P型场效应管，即P型沟道、N型衬底。这两种不同类型的MOS管因其极性差异，在电路中的应用也各不相同。

G极是栅极，S是源极，D是漏极导通时是Vs=Vd，而不是，Vg=Vs。是可以继续导通的。

mos管哪个参数决定了驱动能力

1、Vgs： 最大GS电压.一般为：-20V~+20V 上面三个是主要直接跟你负载相关。Rds（on）相当于内阻，如果导通后内阻大 而你负载电流也大会导致MOS管严重发热。Id直接决定最大电流，如果这个小于你负载也就驱动不了。Vgs 如果没有驱动时候超过这个电压就会损坏MOS管了。

2、动态参数包括跨导（gfs），它是漏极输出电流变化量与栅源电压变化量之比，量测时，GMP越高表示控制能力越强。跨导用Gm表示，单位为S（西），1S等同于1/Ω。Qg是栅极总充电电量，MOSFET驱动过程为栅极电压建立，通过栅源及栅漏之间结电容充电实现。

3、在选择MOS管时，有几个关键参数需格外关注。

4、在选择MOS管时，需要关注的关键参数是多方面的。首先，确定MOS管的类型，即P型或N型，这对电流流动方向至关重要。接着，VGS（栅极-源极电压）和VDS（漏极-源极电压）的值是决定其工作状态的重要指标，VGS控制着管子的开启和关闭，而VDS则反映了其在工作时的最大电压承载能力。

5、在计算驱动电流时，首先要考虑的是MOS管的栅极电荷。MOS管的栅极电荷决定了其从截止到导通所需的最小电荷量，这一参数通常可以在MOS管的数据手册中找到。驱动电流需要在一定的时间内提供足够的电荷来充电或放电MOS管的栅极，以改变其导通状态。

6、极限参数，即绝对最大额定参数，确保MOS管在任何使用情况下均不超出下限，否则有损坏风险。VDS表示漏极与源极间最大可施加电压，VGS表示栅极与源极间最大可施加电压。ID是漏极可承受的持续电流，IDM表示单次脉冲电流强度极限，超过此值可能引发击穿。

MOS管打开时,是否正向和反向都能导通

1、是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。因为对于MOS管来说，管内的衬底在制造时被连接到了S端，S端已经被确定了，而DS端无法互换，但是DS间的电流方向却可以是双向的。

2、mos管以常见的n管为例，只要没有打开，在mos管DS之间加正向电压是不通的，加反向电压由于体二极管的存在，反向电压只要大于这个体二极管的死区电压是可以导通的，不管mos管有没有去打开它，导通压降大体都在零点几伏，不同应用条件，这个数值有点来去。

3、本文探讨了MOS管电流方向的可逆性以及体二极管能承受的电流大小。首先，MOS管在导通时，电流确实可以反向流动，即从S到D，这在电源反接电路中有所体现，尽管我们初始学习时通常认为电流方向是从D到S。体二极管的电流容量取决于MOS管的功耗限制。

4、如果S为8V，G为8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。和G相连的GPIO高电平要8-0.4=4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。

mos管ds之间的电流如何通过g的电压控制电路

m0S管dS之间的电流如何通过g极的电压控制电路。—般都用运放做电压比较器进行电压比较后输出经限流电阻接到g极 ，比较电压输出大小给g极 从而可以控制dS极的导通电流。

基本方法：用一个控制电压（比较器同相输入端）和一个参考电压（比较器反相输入端），同时进入电压比较器（比较器电源接正12V和地，比如LM358当比较器），比较器的输出经过1K电阻上拉后接G脚，如果控制电压比参考电压高，则控制MOS管导通输出电流。

这是一个mos管，这种场管的G跟D和S是绝缘的，无论D和S加不加电压，R221上都不会出现电流和电压。工作原理就是在G和S之间加上电压，D和S之间的电流会随GS之间的电压增大而增大，实现GS间电压对DS间电流的控制。

靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

关键词：mos管ds电压