二极管死区电压随温度（二极管死区电压形成的原因是什么）
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二极管死区电压和温度的关系
温度越高，半导体本征激发越明显，也就是载流子的数量变多了，那也就更容易导通了，死区电压就越低。所以温度升高时二极管的死区电压降低。二极管是用半导体材料（硅、硒、锗等）制成的一种电子器件。
对于正向来讲，当温度上升时，二极管的死区电压和正向电压都将减小。在同样电流下，温度每升高1度，二极管的正向压降低2-5mv.由于二极管的反向电流由少量少子漂移形成，少子的浓度受温度的影响非常大。一般讲温度每升高10度反向电流将翻一番。综合比较而言，温度对二极管反向特性的影响比正向影响大的多。
锗二极管的温度性能和死区电压之间 其实内在是有很大关联的，原因是因为锗和硅禁带宽度不同。锗的禁带宽度低，所以相对不耐温，但是死区小（死区大小在数值上等于禁带宽度对应电压值加绝对温度与温度系数（负的）的乘积）。因为锗禁带宽度小，所以电子更活跃，受温度的影响更大，外在表现就是温度稳定性差。
温度对二极管的正向特性影响小,对其反向特性影响大,为什么?
温度对PN结的反向影响大。因为少数载流子在室温附近每增加10度，其导电能力增加一倍。也就是其数量增加一倍。这是理论分析和实验结果证明的。
温度对二极管正反向特性的影响主要是由于半导体电子与空穴的移动速度与温度关系比较大，所以也长用来做温度传感器。最简单的就是在二极管正向串联电阻，测其压降就能测温度了，如常温20度是0.7V，加温到0.6V，被测温度大约（100MV/2MV）+20=70度。
二极管是温度的敏感器件，温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为随着温度的升高，其正向特性曲线左移，即正向压降减小，反向特性曲线下移，即反向电流增大，通常在室温附近，温度每升高1℃，其正向压降减小2-5mV，温度每升高10℃，反向电流大约增大1倍左右。
由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。
二极管是温度的敏感器件，温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高，其正向特性曲线左移，即正向压降减小。反向特性曲线下移，即反向电流增大。一般在室温附近，温度每升高1℃，其正向压降减小2～5mV；温度每升高10℃，反向电流大约增大1倍左右。
反向特性曲线将下移。在室温附近，温度每升高1℃，正向压降减小2~5mV，温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
为什么和硅相比,锗二极管受温度影响更大,和死区电压又有什么关系。_百...
其实内在是有很大关联的，原因是因为锗和硅禁带宽度不同。锗的禁带宽度低，所以相对不耐温，但是死区小（死区大小在数值上等于禁带宽度对应电压值加绝对温度与温度系数（负的）的乘积）。因为锗禁带宽度小，所以电子更活跃，受温度的影响更大，外在表现就是温度稳定性差。
与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。~能不能再补充说明？ 补充： 锗的nini 是什么？ 满意答案一粒米8级2009-03-081） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。
与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。
在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。
首先，硅二极管的反向电流远低于锗二极管。在相同温度下，硅的杂质浓度比锗高约三个数量级，因此在相同掺杂浓度下，硅中的少数载流子浓度远低于锗，导致硅二极管的反向饱和电流（Is）非常小。其次，对于二极管的正向电流，只有当电压达到特定的门限电压（Ur）时，电流才会有明显的增长。
在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。开始导通后，锗管电流增大速度较慢，硅管电流增大速度相对较快 硅二极管反向电流远小于锗二极管反向电流，锗管为mA级，硅管为nA级。
二极管的伏安特性
1、二极管的伏安特性是什么的答案是：正向特性。二极管伏安特性曲线的第一象限称为正向特性，它表示外加正向电压时二极管的工作情况。在正向特性的起始部分，由于正向电压很小，外电场还不足以克服内电场对多数载流子的阻碍作用，正向电流几乎为零，这一区域称为正向二极管的伏安特性曲线。
2、二极管的伏安特性是正向特性。二极管伏安特性曲线的第一象限称为正向特性，它表示外加正向电压时二极管的工作情况。在正向特性的起始部分，由于正向电压很小，外电场还不足以克服内电场对多数载流子的阻碍作用，正向电流几乎为零，这一区域称为正向二极管的伏安特性曲线。死区，对应的电压称为死区电压。
3、二极管的伏安特性存在4个区：死区电压、正向导通区、反向截止区、反向击穿区。
4、二极管具有单向导电性； 二极管的伏安特性具有非线性；二极管的伏安特性与温度有关。在二极管两端加一定数值的电压，就有一定的电流流过二极管。
5、二极管的伏安特性曲线描述了其电气特性，具体包括： 单向导电性：二极管只允许电流在一个方向上流动，即正向偏压下导通，反向偏压下截止。 非线性特性：在正向偏压下，二极管的电流与电压之间的关系并非线性，而是随着电压的增加而急剧上升，表现出非线性增长。
6、二极管伏安特性曲线特点：二极管的伏安特性是非线性的，象一条二次曲线。某一个金属导体，在温度没有显著变化时，电阻是不变的，它的伏安特性曲线是通过坐标原点的直线，具有这种伏安特性的电学元件叫做线性元件。因为温度可以决定电阻的大小。二极管：二极管是用半导体材料（硅、硒、锗等）制成的一种电子器件。
