阈值电压与温度（阈值电压与温度关系公式）
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阈值频繁跳变
1、题主是否想询问“为什么阈值频繁跳变”？栅压偏置，测试时间，温度条件。栅压偏置：通常情况下，负栅极偏置应力会增加正电性氧化层陷阱的数量，导致器件阈值电压的负向漂移，而正栅极偏置应力使得电子被氧化层陷阱俘获、界面陷阱密度增加，导致器件阈值电压的正向漂移。
2、阀值一般是针对某个属性的收益来说的，简单点说就是超过这个值，某个属性的收益会降低但是仍然是有收益的。
3、输出高低电平、阈值、输出高低电平跳变方向。电压比较器的三要素是输出高低电平、阈值、输出高低电平跳变方向，广泛用于各种报警电路。
4、虚空风暴起始跳数是12，达到第一阈值后跳数就会变成13，多一跳的伤害。活体炸弹起始4跳，每达到一个急速阈值都会加1跳。等于白送一跳的伤害。还有，根据NGA大神说，冰法急速50%后就不能再降低GCD了，也就是说急速过高会卡GCD。暴击阈值这东西，就是达到205%后暴击收益会降低。
5、它对输入波形进行采样，根据用户设定的电压阈值判断信号的高低电平。然而，它的分辨率仅为1位，只能区分高和低，无法识别中间状态，适合检测定时关系，如信号跳变。如果信号在两次采样间跳变，定时分析能感知这一变化，但无法精确到跳变的具体时间，最坏情况下的不确定度是一个采样周期。
6、其次，设备自身的故障也可能引起过欠压保护器的频繁跳闸。保护器内部的电路元件可能因老化、损坏或接触不良而导致误动作。这种情况下，需要对保护器进行检修或更换。另外，如果保护器的设置不当，如电压阈值设置过于敏感，也可能导致不必要的跳闸。再者，负载过大也是一个不可忽视的因素。
1、查看温度对NMOS管阈值电压的影响并说明温度和阈值电压的关系?
关系就是这个在使用的时候他们的影响可能是治疗温度的升高会变化。
第四个对器件阈值电压具有重要影响的参数是栅材料与硅衬底的功函数差ΦMS的数值，这和栅材料性质以及衬底的掺杂类型有关，在一定的衬底掺杂条件下，栅极材料类型和栅极掺杂条件都将改变阈值电压。对于以多晶硅为栅极的器件，器件的阈值电压因多晶硅的掺杂类型以及掺杂浓度而发生变化。
所以nmos传输高电平有阈值损失。（漏端想传递源端的电压，但在漏端电压Vd=VDD－VTH时nmos管截止，电压不会再升高，所以存在阈值损失。
MOS管的阈值电压，即backgate和source形成channel所需的gate对source偏置电压，是一个关键参数。当偏置电压小于阈值电压时，channel无法形成。晶体管的阈值电压受多种因素影响，包括backgate的掺杂、电介质厚度、gate材质以及电介质中的过剩电荷。backgate掺杂是阈值电压的主要决定因素。
怎样仿真阈值电压随温度变化曲线
1、使用一个栅漏短接的NMOS管，上拉一个恒流源到电源，调节电流源使NMOS管电压接近开启电压，DC仿真此点的温度系数曲线就基本上等于开启电压的曲线了。PMOS同理。
2、ID-VG曲线：展示了固定漏源电压（VDS）下，漏源电流（ID）随栅源电压（VGS）变化的规律。栅极阈值电压（VGS（th）：使MOSFET开始导通，即使得ID开始流动的最小VGS。曲线的主要特点 线性区与饱和区：当VGS小于VGS（th）时，ID几乎为0，MOSFET处于截止状态。
3、跨导外推法基于FET的特性曲线，通过测量FET的输出电流和输入电压之间的关系来确定阈值电压。该方法的基本原理是，当输入电压小于阈值电压时，FET处于截止区，输出电流几乎为零；而当输入电压大于阈值电压时，FET处于放大区，输出电流呈线性增加。
4、关系就是这个在使用的时候他们的影响可能是治疗温度的升高会变化。
5、CMOS工艺中对寄生晶体管的参数描述不十分明确；（2）寄生晶体管基极接地的接法使其只能输出固定的电压；（3）在整个温度区间内，由于Vbe和温度的非线性关系，当需要输出精确的基准电压时要进行相应的曲率补偿。为了解决这些问题，提出一种基于CMOS阈值电压的基准设计方案。
6、我感觉二极管正向导通压降是在二级管导通时的电压降，而二极管正向阀值电压是要使二极管正向导通的最小电压。
