硅管的导通电压（硅管的导通电压约为）
本文目录一览：
三极管中硅管和锗管的区别有哪些?
三极管中的硅管与锗管在多个方面存在差异： 导通电压：硅管的导通电压约为0.65伏特，而锗管的导通电压在0.2至0.3伏特之间。 正向电阻：硅管的正向电阻较大，通常在几千欧姆，而锗管的正向电阻则在几百欧姆左右。 热稳定性：硅管在温度变化下的稳定性较好，而锗管的热稳定性相对较差。
三极管中硅管和锗管的区别有两点：一是导通电压不同硅管是0：65V锗管是0：2／0：3V，二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差。硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。锗管很少了。
在三极管的种类中，硅管和锗管具有显著的差异。首先，关于导通电压，硅管的阈值通常为0.65伏特，而锗管的导通电压则较低，范围在0.2到0.3伏特之间，这就决定了它们在电路中的行为有所不同。其次，正向电阻是两者另一个重要的特性。硅管在正向偏置时，其电阻较大，一般可达几千欧姆。
三极管中硅管和锗管的区别有两点：一是导通电压不同硅管是0.65V锗管是0.2-0.3V 二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差 硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。锗管很少了。
锗管和硅管的区别是什么?
1、热稳定性：硅管在温度变化下的稳定性较好，而锗管的热稳定性相对较差。 材料使用：由于硅半导体材料的广泛应用，现代半导体工业中普遍使用硅管，而锗管的使用则相对较少。
2、锗管的漏电流远远大于硅管，且随着温度的增加，漏电流也会剧烈的上升。也就是说锗管的“热稳定性”非常差。这就是锗管基本被淘汰的最主要的原因。根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同。
3、三极管中硅管和锗管的区别有两点：一是导通电压不同硅管是0：65V锗管是0：2／0：3V，二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差。硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。锗管很少了。
怎样判别三极管的电极?
1、三极管类型确认：观察三个电极的电压关系，可以帮助判断三极管的类型。NPN型三极管中，集电极Vc的电压最高，发射极Ve的电压最低，基极Vb的电压介于Vc和Ve之间，通常比Ve高出0.7伏或0.2伏。
2、识别发射极 发射极一般是三极管中与其他两个极不同的极。在一些三极管上，发射极可能会被标记上E。除此之外，发射极还具有一个由额外金属片组成的小脚，这个小脚通常会被焊接到电路板中。 识别基极 基极通常是三极管中的中间极，它位于发射极和集电极之间。在一些三极管上，基极可能会被标记上B。
3、使用万用表可以辨别三极管的三个电极。首先，三极管的基极是两个PN结的公共极。在判别基极时，将万用表调至电阻档的R×1k档，用红表笔接触一个脚，黑表笔分别接触另外两个脚。如果两次测量都是全通状态，那么红表笔所接触的脚就是基极。
4、三极管没有正、负极之分，只有PNP管和NPN管的说法。三只脚分别是基极（B），集电极（C），发射极（E）。集电极接高电位，发射极接低电位。
