mos管开关电压（mos管 开关）
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MOS管的开启电压是什么,是指G极的电压吗。。。如果是哪需要多少V_百度...
1、是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性，载流子流出source，流入drain。
2、开启电压是指MOS由阻断到开始导通的最低门极电压，一般是3~5伏，导通电阻随门极电压的升高而减小。此管门极电压必须小于20V。
3、开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
4、MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压，超过就击穿了，所以一般是±20V，使用时不能超过。和上一问一样，只有栅极和源极接正向电压才能导通，而且不能超过20V。
5、那么你先要给定一个 vds ，这个肯定是已知的 就是你的供电电压 vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区） 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通。
6、各种MOSFET多了去了，不同种类不同工艺的开启电压都不一样。一般来说特征尺寸越小的工艺开启电压越低，例如65nm的管子开启电压只有大约0.3~0.4V。0.8V的开启电压大概是0.5um工艺以上了。（对于IC，分立元件还不一定）具体使用的时候必须先看说明文档。
MOS管的参数怎么读懂
开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
导通电阻是温度敏感参数，在25 C和150 C间，它的值近似变为两倍。RDS（ON） 栅源导通电阻与温度的对应关系的图在每份数据说明书中都包含，如图8。因为MOSFET正常运行Tj温度高于25 C，当估算MOSFET的耗散功率时，考虑RDS（ON）时会变大是很重要的。
DC/DC转换：高低电压间的桥梁PFC预调制：优化功率效率的工程师LDO稳压：电压的守护天使PWM/PFM控制：开关操作的精确大师MOSFET/IGBT：高性能开关的代表电池管理：绿色能源的守护者热插板控制：温度管理的专家总结起来，二极管、三极管、MOS管和电源管理IC的组合，构筑了电子产品的稳定基础。
了解运放工作时的精髓，首先得掌握其核心参数——共模输入（Vcm/）和输出特性。Vcm/是运放正常工作的生命线，它定义了输入电压的最大容忍值，一旦超出这个范围，可能引发失真现象，对信号的精确处理造成困扰。输出电压范围则复杂得多，它受到电源电压、负载以及频率的影响。
要想看懂图纸首先你得具备电子元件基础常识，就是认识这些元器件，二极管 三极管 MOS管 电阻电容电感 芯片等，了解这些元器件外观、作用和工作原理，常用型号以及这些元器件在电路图中的标注符号，这是基础，没有这些你是无论如何也不会看懂电路图的。
MOS管怎样控制它的开关状态?
靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。
因此，在使用MOSFET作为开关时，我们可以通过控制控制极上的电压来控制MOSFET的开关状态。
MOS管的开关特性：MOS管最显著的特点也是具有放大能力。不过它是通过栅极电压uGS控制其工作状态的，是一种具有放大特性的由电压uGS控制的开关元件。静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
可以。如果要工作在开关状态，就必须使得 MOS管 处于可变电阻区和夹断区。
MOS管开关电路?
MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。PWM MOS管驱动实际是将PWM信号经过MOS进行功率放大，将PWM信号变成具备一定功率输出或有一定电流灌入能力的PWM波形。
MOS管（三极管）方向的判断：MOS管组成的开关控制电路如下：对于NMOS，当VGS大于阈值电压时，MOS管导通，此时VGS为正。对于PMOS，当-VGS大于阈值电压时，MOS管导通，此时VGS为负。NMOS组成的电平转换电路：电平转换原理如下：当A高电平时，mos管关断，B拉高到3V。当A低电平时，mos管打开，B为电平。
首先，晶体管开关电路分为TTL和MOS管两类。TTL电路通常用于小信号和功率开关，分为发射极接地和射随两种方式。发射极接地电路有三极管基极电荷积累导致的关断延迟，而射随电路如射极跟随器则有电流放大和功率放大特性，常用于信号传输。无源蜂鸣器控制电路中，三极管如N型的T1通过控制电压来控制蜂鸣器的发声。
MOS管能当开关用吗
可以。如果要工作在开关状态，就必须使得 MOS管 处于可变电阻区和夹断区。
当然可以，而且大部分是用于开关状态，MOS管用于放大的例子还真不多。
使用MOS管做开关管，其输入阻抗高达100MΩ，这对激励信号不会产生压降，只要有一点电压就可驱动。开关速度快。开关速度在10~100ns，工作频率高达100kHz以上。普通三极管由于载流子的存储效应，其开关总会存在滞后现象，进而影响开关速度。不存在二次击穿。
