栅源电压大于漏源电压（栅源电压和漏极电流的关系）

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栅源电压怎么控制漏源电阻的

1、有，MOS管原理就是通过栅源电压去控制漏源电流，即ID=gm*Ugs（此时应保证MOS管处于放大状态），其中gm是低频跨导，有专门的计算公式可以算出来的，与三极管的共射交流电流放大系数贝塔相比，gm变化更快一些。如果只是做开关，一般导通电压是2-4V，也就是Ugs（th）。

2、在漏-源极间则加入正电压（vDS0），促使N沟道中的多数载流子电子在电场作用下，从源极向漏极移动，形成漏极电流iD。iD的大小主要由栅-源电压vGS控制，同时也会受到漏-源电压vDS的影响。

3、漏源极间电阻的大小决定于期间多数载流子浓度，多数载流子浓度越大，电阻越小。半导体的栅极为掺杂半导体，具有PN结效应，而PN结中多数载流子浓度受到PN结间电压影响，换句话说，栅极电压会影响到PN结电阻，继而影响漏源电阻。

4、可以把场效应管看作一个由电压控制的可变电阻。G极的电压可以改变导电区的截面积从而改变了S－D间的电阻值。（事实上有一些场效应管的S和D极是可以互换使用的，但是效果会有所改变）。

mos管栅极电压越高,rdsn越大

1、综上所述，我们可以得出结论：MOS管栅极电压越高，RDSN越小，漏极电流越大。同时，需要注意防止过高的栅极电压对MOS管造成损坏。

MOS管GS间电压反接可以导通吗

如果源级电压小于漏极电压，那么栅漏电压大于开启电压的同时栅源电压也必然大于开启电压，也就是开启。如果源级电压高于漏极电压，那两者就反过来了，还是开启。

是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。因为对于MOS管来说，管内的衬底在制造时被连接到了S端，S端已经被确定了，而DS端无法互换，但是DS间的电流方向却可以是双向的。

只要GS间电压够大，就可以导通了，截止的话就是倒过来，GS间电压够小就截止。

增强型NMOS的漏源电压和栅源电压如何安排,管子才有放大作用

此图为《电子技术基础》模拟部分的一个NMOS管的图 图中显示开启电压Vt（即删源之间的电压为2V）我查了一下基本元器件 《当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。

增强型NMOS管的转移特性：在一定VDS下，栅-源电压VGS与漏极电流iD之间的关系：IDO是VGS=2VT时的漏极电流。（2） 输出特性（漏极特性）表示漏极电流iD漏-源电压VDS之间的关系：。与三极管的特性相似，也可分为3个区：可变电阻区，放大区（恒流区、饱和区）， 截止区（夹断区）。

mos管是场效应管，是表面器件，对于增强型mos管是需要衬底反型形成导电沟道才能导电。上图为nmos管结构剖面图。当nmos管G不加电时，在漏源之间加电压，（漏接高源接低）。那么对于D端来看，衬底P和D端的n 是pn结反偏。对于源端n来说，pn结电压为0.所以都没有导电通路，因此没电流。

漏源电压高到一定程度（其实就是预夹断之后），UGD的电压会呈现反压，也就是在反型层所在的沟道中出现空间电荷区，ID要从D到S，需要克服一段空间电荷区（耗尽层），这时候，MOSFET呈现得是一种放大状态。

场效应管栅极和漏极电压过高会不会引起击穿?

1、当然会击穿了，谁告诉你通常只考虑栅源电源了，漏源电压就不考虑？没有像你说的考虑栅漏电压的，厂家给出的都是漏源的耐压值，在实际电路中你要结合你的电路来选择场效应管的耐压，还有就是耐流。

2、电压电流过大或芯片损坏会导致击穿。场效应管是金属一氧化物一半导体场效应管的简称，通常又叫做“绝缘栅场效应管”，它是一种用电压控制多数载流子导电的器件。它的栅极是从氧化膜引出的，栅极与源极、漏极是绝缘的，绝缘栅场效应管亦因此得名。

3、最后，需要注意的是，虽然栅极电压的增加可以减小RDSN并增加漏极电流，但是过高的栅极电压可能会导致MOS管的击穿或损坏。因此，在实际应用中，需要根据MOS管的规格和电路设计要求来选择合适的栅极电压。综上所述，我们可以得出结论：MOS管栅极电压越高，RDSN越小，漏极电流越大。

什么是漏源电压、栅源电压?

1、漏源电压：漏极和源极两端的电压。栅源电压：栅极和源极两端的电压。栅极（Gate——G，也叫做门极），源极（Source——S）， 漏极（Drain——D）将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。

2、栅源电压是指MOS管栅极和源极之间的电压差，当栅源电压加倍时，MOS管的电流会增加，这是因为栅源电压越高，MOS管的导通越好，电流就会更大，同时栅源电压还会影响MOS管的阈值电压，即使电流增加，MOS管的阈值电压也可能会发生变化。

3、栅源电压是指场效应管的栅极（G）与源极（S）之间的电压。场效应管是类似于电子管性能的一种半导体器件，是电压控制型的器件，输入阻抗很高，栅源电压影响输出电流的变化，场效应晶体管的英文简称为FET，中文简称为场效应管或者单极型晶体管。