珊极电压和漏极电压（漏极源极栅极之间的关系）

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mos管的栅源电压和漏源电压加倍的效果有啥不同

1、对MOS管的工作产生的影响不同。栅源电压是指MOS管栅极和源极之间的电压差，当栅源电压加倍时，MOS管的电流会增加，这是因为栅源电压越高，MOS管的导通越好，电流就会更大，同时栅源电压还会影响MOS管的阈值电压，即使电流增加，MOS管的阈值电压也可能会发生变化。

2、其次，RDSN是漏源电阻，表示漏极和源极之间的电阻。当MOS管处于导通状态时，RDSN的大小会影响漏极电流的大小。一般来说，RDSN越小，漏极电流越大，MOS管的导通能力越强。然后，我们需要理解栅极电压对RDSN的影响。当栅极电压增加时，导电沟道的宽度增加，使得漏极和源极之间的电阻减小，即RDSN减小。

3、电流流向不同。把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。作用不同。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。由于导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。

4、N--D之间电压应符合耐压极限参数，超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。

N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏

N--D之间电压应符合耐压极限参数，超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。

由于栅极绝缘程度极高，栅极又有电容特性。因此极容量积累电荷，并存储电荷，形成电压。在你测量的过程中，如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了，也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作，都会让MOS管的DS持续保持导通。如果电压过高，栅极可能击穿损坏。

MOS管的导通条件取决于栅极和源极之间的电压。当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时，MOS管会导通。在N沟道MOS中，当栅极电压高于源极电压加上阈值电压时，NMOS管导通；而在P沟道MOS中，当栅极电压低于源极电压减去阈值电压时，PMOS管导通。

截止状态： 当NMOS管的栅极电压低于阈值电压时，NMOS管处于截止状态。在此状态下，栅极和漏极之间的通道断开，导致漏极和源极之间没有电流流动。线性放大区： 当NMOS管的栅极电压高于阈值电压，但漏极-源极电压较低，使得栅极电压和漏极-源极电压之和小于饱和电压时，NMOS管处于线性放大区。

MOS管的栅极和漏极可以是相同电压，如果它们的电势相同，就会处于截止状态，不会导通。当MOS管的栅极电压大于阈值电压时，电子会开始在通道中流动，从而使漏极电压低于栅极电压，使得MOS管导通。此时，如果栅极电压与漏极电压相同，则MOS管的通道电流达到最大值，也就是处于饱和状态。

栅极：栅极是MOS管的控制端，通过施加电压来控制MOS管的导通与截止。当在栅极施加一定电压后，栅极与硅衬底之间的绝缘层中会产生一个电场，这个电场会吸引或排斥半导体中的载流子，从而在源极和漏极之间形成或阻断导电通道。

场效应管栅极和漏极电压过高会不会引起击穿?

当然会击穿了，谁告诉你通常只考虑栅源电源了，漏源电压就不考虑？没有像你说的考虑栅漏电压的，厂家给出的都是漏源的耐压值，在实际电路中你要结合你的电路来选择场效应管的耐压，还有就是耐流。

电压电流过大或芯片损坏会导致击穿。场效应管是金属一氧化物一半导体场效应管的简称，通常又叫做“绝缘栅场效应管”，它是一种用电压控制多数载流子导电的器件。它的栅极是从氧化膜引出的，栅极与源极、漏极是绝缘的，绝缘栅场效应管亦因此得名。

最后，需要注意的是，虽然栅极电压的增加可以减小RDSN并增加漏极电流，但是过高的栅极电压可能会导致MOS管的击穿或损坏。因此，在实际应用中，需要根据MOS管的规格和电路设计要求来选择合适的栅极电压。综上所述，我们可以得出结论：MOS管栅极电压越高，RDSN越小，漏极电流越大。

在实际电路中你要结合你的电路来选择场效应管的耐压，还有就是耐流。栅源电压是管子的驱动电压，一般15V-20V。过压会造成击穿 场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V）。

什么是漏源电压和栅源电压?

漏源电压：漏极和源极两端的电压。栅源电压：栅极和源极两端的电压。栅极（Gate——G，也叫做门极），源极（Source——S）， 漏极（Drain——D）将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。

栅源电压是指场效应管的栅极（G）与源极（S）之间的电压。场效应管是类似于电子管性能的一种半导体器件，是电压控制型的器件，输入阻抗很高，栅源电压影响输出电流的变化，场效应晶体管的英文简称为FET，中文简称为场效应管或者单极型晶体管。

栅源电压是指MOS管栅极和源极之间的电压差，当栅源电压加倍时，MOS管的电流会增加，这是因为栅源电压越高，MOS管的导通越好，电流就会更大，同时栅源电压还会影响MOS管的阈值电压，即使电流增加，MOS管的阈值电压也可能会发生变化。

深入解析MOS管的关键参数，理解它们在电路中的角色至关重要。首先，VDSS，即漏源电压，犹如一道安全屏障，防止电流引发的雪崩效应导致器件损坏，确保其在正常工作下的稳健性。接下来是VGS，栅源电压，它的存在是为了保护栅极的氧化层，防止其因过电压而受损，确保栅极控制的精确性。

电压等级 电压等级是确定MOSFET首要特性的因素，即漏源击穿电压（VDS）。VDS是在栅极短路到源极、漏极电流在250μA情况下，MOSFET所能承受的保证不损坏的最高电压。需要注意的是VDS与温度有关，因此应考虑器件的温度系数。此外，最高VDS还应考虑直流电压加上可能存在的电压尖峰和纹波。

漏源电压（Vds）是指MOSFET能够承受的最大电压差，即在漏极和源极之间可以施加的最大电压。对于IRF630，这个值为55V，超过这个电压可能会导致MOSFET损坏。栅源电压（Vgs）是指MOSFET的栅极和源极之间的电压范围。

mos管的三个极

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。

栅极、源极、漏极是场效应晶体管中的三个重要电极。解释如下：栅极 栅极是场效应晶体管控制电流的主要电极。在MOS管中，通过施加电压在栅极上，可以控制源极和漏极之间的通道，从而控制电流的流动。简单来说，栅极就像是一个开关，调节电流的开关。源极 源极是场效应晶体管中电流流出的电极。

MOS管是集成电路中的绝缘性场效应管。它的三个极分别是：栅极、漏极和源极。栅极简称为G；源极简称为S；漏极简称为D。

MOS管，全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管，其主要由三个引脚构成：G、S和D。G代表栅极，它是控制电流流动的关键部分，通过施加电压可以开启或关闭MOS管的导电通道。S是源极，而D则是漏极。