nmos阈值电压（nmos阈值电压的计算公式）
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nmos跟pmos有什么区别?
PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。原理不同。
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
PMOS是一种P型半导体MOSFET，其主要由P型材料制成。当栅极电压为负电压时，PMOS处于导通状态，栅极电压为正电压时，PMOS处于截止状态。PMOS的栅极电压与源极电压之差（VGS）为负值时，PMOS导通。PMOS用于在逻辑电路中实现逻辑功能，如负责逻辑门的电源。
pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名，positiveMOS。NMOS英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor，意思为N型金属氧化物半导体，拥有这种结构的晶体管称之为NMOS晶体管。
PMOS与NMOS的主要区别在于它们的极性、工作原理、应用场景以及物理特性。极性方面，PMOS是一种正极性的MOS管，其源极和漏极是p型半导体，而控制电极是n型半导体。相反，NMOS是一种负极性的MOS管，其源极和漏极是n型半导体，控制电极是p型半导体。这种极性差异导致了它们在电路中的行为不同。
NMOS和PMOS电流流向以及导通条件
PMOS和NMOS同时打开会造成器件短路，形成瞬态开路电流。NMOS管的主回路电流方向为D到S，导通条件为VGS，有一定的压差，如5V（G电位比S电位高）。PMOS管的主回路电流方向为S到D，导通条件为VGS，有一定的压差，如-5V（S电位比G电位高）。
NMOS（N沟道MOSFET）电流从源极（S）流向漏极（D），当栅极（G）与源极之间施加正向偏置电压（Vgs）大于或等于阈值电压（Vth）时，MOSFET导通，Vgd可为正值或零。电子作为载流子，决定电流的流向为S-D。
NMOS的电流Id必须从D流到S，而PMOS的电流必须从s流到d一般RDS非常小，在导通时D与S电压几乎一样，G端电压比D端高出一个启动电压，实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压，这是N沟道MOS管导通的必要条件。
可以根据电流的方向来判断，从管子中流出的为NMOS管。 还可以根据电流的方向来判断，流入管子的为PMOS管。 还可以从电压的高低来判断，如果D在上，S在下，说明D端电压高于S端电压，管子导通则为NMOS管，相反，S在上，D在下，S端电压高于D端电压而导通，说明为PMOS管。
工作原理上，PMOS依靠空穴的流动来运送电流，当栅极电压低于某一阈值时，PMOS导通。而NMOS则通过电子的流动来控制电流，栅极电压高于某一阈值时，NMOS导通。这种导通机制的不同使得PMOS和NMOS在响应速度和开关性能上有所区别。
MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?
阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
当然会了，电器产品在设计之初，都会有自己有效使用年限，在超出最佳环境的情况下使用，会加快老化。
MOS的阈值电压，即是所谓的开启电压，不同型号的阈值会有不同的值；而通常情况下还与其耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
在MOS管的导通过程中，电压电流的变化曲线可以清晰地描绘出从截止到导通的全过程。
