开启电压和阈值电压（开启电压和阈值电压一样吗为什么）
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元器件-开关管
1、Proteus开关元器件名称有继电器、晶体管、开关、多路选择器、光电继电器、传感器开关等等。继电器 继电器是一种常见的开关元器件，通过控制电磁线圈的通断来实现开闭触点的转换，用于控制高电压和大电流的开关操作。晶体管 晶体管是一种半导体器件，具有开关特性。
2、数字电路中常用的开关元件主要有以下几种：三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
3、所以开关管没有专用的电路符号，它的电路符号也是三极管或场效应管的电路符号，此外，还还有开关二极管，也是指导通与截止的状态转变速度快，损耗小的二极管。开关管也不能算是专用的元器件。只不过是更适用于开关电路的器件。
4、开关电源主要元件就是电子开关（场效应管或三极管）。首先输入端要有保护（保险管） 滤波（电容）在经过整流（整流桥） 再需要DC/AC转换（变压器） 整流输出（整流二极管） 再经滤波（电感电容）最后就有稳定的输出。
5、在更换完外围损坏的元器件后，先不装开关管，加电测uc3842的7脚电压，若电压在10-17V间波动，其余各脚也分别有波动的电压，则说明电路已起振，uc3842基本正常；若7脚电压低，其余管脚无电压或不波动，则uc3842已损坏。
MOS管的参数怎么读懂
1、开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2、导通电阻是温度敏感参数，在25 C和150 C间，它的值近似变为两倍。RDS（ON） 栅源导通电阻与温度的对应关系的图在每份数据说明书中都包含，如图8。因为MOSFET正常运行Tj温度高于25 C，当估算MOSFET的耗散功率时，考虑RDS（ON）时会变大是很重要的。
3、要想看懂图纸首先你得具备电子元件基础常识，就是认识这些元器件，二极管 三极管 MOS管 电阻电容电感 芯片等，了解这些元器件外观、作用和工作原理，常用型号以及这些元器件在电路图中的标注符号，这是基础，没有这些你是无论如何也不会看懂电路图的。
和电子电路有关的问题,请求帮助,非常感谢!~
Is = 10/√2 = 071 A Ur = Is * R = 2113V Uc = Is * Zc = 2884V 单位要断网一会儿，有空再做。
您可以使用一个叫做单稳态触发器（Monostable Multivibrator）的集成块来实现您所描述的功能。单稳态触发器是一种常用的数字电路，它在输入一个触发脉冲后，会在一段时间内保持导通状态，然后再次返回断开状态。在数字电路中，常见的单稳态触发器是基于555定时器芯片构建的。
图5-3所示的全波整滤电路，需要变压器有一个使两端对称的次级中心抽头，这给制作上带来很多的麻烦。另外，这种电路中，每只整流二极管承受的最大反向电压，是变压器次级电压最大值的两倍，因此需用能承受较高电压的二极管。图5-5（a ）为桥式整流电路图，（b）图为其简化画法。
C。反向击穿时的电阻很小，电压基本不变。D。2V和7V可知，压降为0.7，是NPN管，7v的肯定是基极，无论是什么管，只要工作在放大区，那么就有VeVbVc，可知为D。A。A。D。其实这题问得有点怪，有没有补充呢？B C。耗尽型本身内部就有形成到点沟道。
R1\R2\RP与三五定时器及电容C1共同构成一个脉冲发生器，调节RP可调节脉冲频率，也就是可调节后方LED的闪烁速度，R3为LED限流电阻。
门电路工作原理?
1、门电路以二进制为原理。门电路规定各个输入信号之间满足某种逻辑关系时，才有信号输出，通常有下列三种门电路：与门、或门、非门（反相器）。从逻辑关系看，门电路的输入端或输出端只有两种状态，无信号以“0”表示，有信号以“1”表示。也可以这样规定：低电平为“0”，高电平为“1”，称为正逻辑。
2、与非门是与门和非门的结合，先进行与运算，再进行非运算。与非门是当输入端中有1个或1个以上是低电平时，输出为高电平；只有所有输入是高电平时，输出才是低电平。
3、工作原理和应用：门电路的工作原理基于布尔逻辑运算。在数字系统中，门电路被广泛应用于数据处理、传输和存储等环节。它们可以组合成更复杂的逻辑电路，实现各种数字信号处理任务。此外，门电路还广泛应用于计算机、通信、自动控制等领域。
IGBT的开启电压一般是多大?
在电磁炉中的驱动电压通常为18V，IGBT管是电压控制型元件，其开启电压一般大于15V。接通电源，不按任何键，IGBT管G极电压应小于0.5V，最好是小于0.3V，正常时约为0V。
IGBT的开启电压就是指门极（栅极 ）和 源极 （IGBT不称发射极）之间的电压Vgs，通常这个值在2～4V 左右，也有的的需要 6V 左右，例如H40T120的Vgs就是5-5V 。
IGBT的开启电压就是指门极（栅极）和源极（IGBT不称发射极）之间的电压Vgs，通常这个值在2～4V左右，也有的的需要6V左右，例如H40T120的Vgs就是5-5V 。
这是IGBT在导通状态时的电阻，电阻越小，损耗越低，效率越高。门极电压（Vgs）：这是用于控制IGBT开关的电压，通常在10V到20V之间。这些参数共同决定了IGBT在不同应用场景下的性能，比如在变频器、电动汽车、太阳能逆变器等设备中。总之，了解这些参数有助于选择合适的IGBT，以满足特定的电力需求。
